[发明专利]基于深层离子注入方式的倒置四结太阳电池抗位移辐照加固方法

权利要求书

1.基于深层离子注入方式的倒置四结太阳电池抗位移辐照加固方法，其特征在于，该加固方法的具体过程为：

S1、根据倒置四结太阳电池的结构参数，向倒置四结太阳电池的第四结有源区和第三结有源区模拟注入离子，分别获得第四结有源区和第三结有源区注入离子的离子能量和射程信息；

S2、分别模拟第四结有源区未注入离子和模拟注入离子后的I-V特性，改变注入离子量，使模拟注入离子后的I-V特性与未注入离子的I-V特性的变化量小于10％，记录第四结有源区的注入离子量；

S3、根据S1获取的第四结有源区注入离子的离子能量和射程信息，以及S2获取的第四结有源区注入离子量，计算注入离子机的第四结有源区注入离子电压和离子束电流；

S4、分别模拟第三结有源区未注入离子和模拟注入离子后的I-V特性，改变注入离子量，使模拟注入离子后的I-V特性与未注入离子的I-V特性的变化量小于10％，记录第三结有源区的注入离子量；

S5、根据S1获取的第三结有源区注入离子的离子能量和射程信息，以及S4获取的第三结有源区注入离子量，计算注入离子机的第三结有源区注入离子电压和离子束电流；

S6、分别设置第四结有源区和第三结有源区的注入离子时间；

S7、根据注入离子机的注入离子电压、离子束电流和注入离子时间对注入离子机进行设置；

S8、采用注入离子机对倒置四结太阳电池的第四结有源区和第三结有源区分别进行离子注入；

S9、对完成离子注入的倒置四结太阳电池进行退火处理。

2.根据权利要求1所述的基于深层离子注入方式的倒置四结太阳电池抗位移辐照加固方法，其特征在于，所述第四结有源区和第三结有源区均为InGaA有源区。

3.根据权利要求1所述的基于深层离子注入方式的倒置四结太阳电池抗位移辐照加固方法，其特征在于，S1所述倒置四结太阳电池的结构参数包括各部分材料的成分、密度、掺杂浓度和厚度。

4.根据权利要求1所述的基于深层离子注入方式的倒置四结太阳电池抗位移辐照加固方法，其特征在于，S1所述注入离子类型为硅离子、铟离子、镓离子或砷离子。

5.根据权利要求1所述的基于深层离子注入方式的倒置四结太阳电池抗位移辐照加固方法，其特征在于，S3所述计算注入离子机的第四结有源区注入离子电压和离子束电流的具体过程为：

第四结有源区注入离子电压V₁：

其中：E₁表示第四结有源区的注入离子的离子能量，C₁表示第四结有源区的离子电荷量；

第四结有源区离子束电流I₁：

其中：Φ₁表示第四结有源区的注入离子量，q表示单位电荷电量，t₁表示第四结有源区的辐照时间。

6.根据权利要求1所述的基于深层离子注入方式的倒置四结太阳电池抗位移辐照加固方法，其特征在于，S5所述计算注入离子机的第三结有源区注入离子电压和离子束电流的具体过程为：

第三结有源区注入离子电压V₂：

其中：E₂表示第三结有源区的注入离子的离子能量，C₂表示第三结有源区的离子电荷量；

第三结有源区离子束电流I₂：

其中：Φ₂表示第三结有源区的注入离子量，q表示单位电荷电量，t₂表示第三结有源区的辐照时间。

7.根据权利要求1所述的基于深层离子注入方式的倒置四结太阳电池抗位移辐照加固方法，其特征在于，S9所述对完成离子注入的倒置四结太阳电池进行退火处理的工艺为：

退火温度为550℃，退火时间为0.5分钟到1分钟。