[发明专利]半导体工艺、半导体器件的制作方法以及半导体器件

说明书

本申请提供了一种半导体工艺、半导体器件的制作方法以及半导体器件。该半导体工艺包括：形成具有凹槽的半导体基底；在凹槽中设置预定材料，直到预定材料的厚度大于或者等于预定厚度，其中，预定材料为流体材料；控制半导体基底旋转，半导体基底旋转的旋转轴平行于半导体基底的厚度方向；固化预定材料，形成填充结构。该半导体工艺解决了现有技术中难以无缝填充深宽比较大的凹槽的问题，保证了形成的填充结构的性能较好，进而保证了包括由该半导体工艺形成的半导体器件的性能较好。并且，该工艺容易控制，成本较低，可以广泛地应用在各种半导体器件的制作过程中。

技术领域

本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种半导体工艺、半导体器件的制作方法以及半导体器件。

背景技术

现有技术中，在半导体领域中，对于深宽比较大的凹槽的填充一般具有两种方式：第一种为直接在凹槽中沉积预定材料，直到预定材料充满凹槽；第二种为在凹槽中先沉积较薄的一层预备层，然后刻蚀预备层的靠近凹槽口的部分，使得凹槽开口变大，最后，在剩余的凹槽中沉积预定材料，直到充满凹槽。

上述的两种方式填充后的凹槽中均具有缝隙，对于第一种方式来说，缝隙较大，对于第二种方式来时，缝隙相对较小。

因此，现有技术中难以实现无缝填充深宽比较大的凹槽。

在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种半导体工艺、半导体器件的制作方法以及半导体器件，以解决现有技术中的半导体工艺难以实现无缝填充深宽比较大的凹槽的问题。

为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种半导体工艺，包括：形成具有凹槽的半导体基底；在所述凹槽中设置预定材料，直到所述预定材料的厚度大于或者等于预定厚度，其中，所述预定材料为流体材料；控制所述半导体基底旋转，所述半导体基底旋转的旋转轴平行于所述半导体基底的厚度方向；固化所述预定材料，形成填充结构。

进一步地，所述预定厚度大于或者等于所述凹槽的深度。

进一步地，在所述凹槽中设置预定材料包括：在所述凹槽中滴入所述预定材料。

进一步地，所述半导体基底的旋转轴为经过所述半导体基底的轴。

进一步地，所述预定材料的粘稠度在0.2～10000cP之间，所述半导体基底的旋转速度在100～8000PRM之间。

进一步地，采用紫外固化方式和/或热固化方式固化所述预定材料。

进一步地，所述凹槽的深宽比大于或者等于6。

为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种半导体器件的制作方法，所述制作方法包括任一种所述的半导体工艺。

进一步地，所述半导体器件为3D NAND存储器。

根据本申请的再一方面，提供了一种半导体器件，包括半导体结构，所述半导体结构采用任一种所述的半导体工艺制作而成。

应用本申请的技术方案，上述的半导体工艺中，通过在凹槽中设置流体状的预定材料，并且旋转半导体基底，后续对预定材料进行固化，形成填充结构。该工艺中，由于在设置流体状的预定材料的同时、过后或者之前，半导体基底就会旋转，这样使得凹槽中的预定材料分布均匀，不存在缝隙，从而使得最终形成填充结构中的不存在缝隙，解决了现有技术中难以无缝填充深宽比较大的凹槽的问题，保证了形成的填充结构的性能较好，进而保证了包括由该半导体工艺形成的半导体器件的性能较好。并且，该工艺容易控制，成本较低，可以广泛地应用在各种半导体器件的制作过程中。

附图说明