[发明专利]一种完全取代高炉冷却壁镶砖的SiC结合Si3 有效
| 申请号： | 201910775897.8 | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN110372388B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 左亮珠 | 申请（专利权）人： | 北京精冶源新材料股份有限公司;精冶源新材料河北有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/63;C04B35/66 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 李建华 |
| 地址： | 100088 北京市西城区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 完全 取代 高炉 冷却 壁镶砖 sic 结合 si base sub | ||
1.一种高炉冷却壁保护内衬的制备方法，其特征在于：使用完全取代高炉冷却壁镶砖的SiC结合Si3N4浇注料，所述浇注料以63-68wt%的碳化硅颗粒为骨料，以13-17wt%的碳化硅微粉和18-22wt%的氮化硅微粉为基质料；以所述骨料与基质料质量之和8-10wt%的硅溶胶作为结合剂；
所述碳化硅颗粒，具体粒度分布为：粒度5-3mm，18-22wt%；粒度3-1mm， 18-22wt%；粒度1-0mm，23-27wt%；
作为基质料的碳化硅微粉和氮化硅微粉粒度均小于300目；
所述制备方法包括如下步骤：
（1）原料选取，以碳化硅颗粒为骨料，以碳化硅微粉和氮化硅微粉为基质料；
（2）以63-68wt%的碳化硅颗粒为骨料，以13-17wt%的碳化硅微粉和18-22wt%的氮化硅微粉为基质料，按上述骨料与基质料的质量比例进行机械混匀；
（3）外加占所述骨料与基质料质量之和8-10wt%的硅溶胶作为结合剂，搅拌均匀，制得可完全取代高炉冷却壁镶砖的SiC结合Si3N4浇注料，
（4）将浇注料浇注或喷涂于高炉炉腰和炉腹部位，烘干即可；
所述浇注料1400℃煅烧后抗压强度≥100MPa，线变化率≤0.5%。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：将骨料与基质料先分别进行机械混匀，随后二者混合并外加占原料质量为8-10wt%的硅溶胶作为结合剂，在室温下搅拌均匀。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：将制备的浇注料浇注或喷涂在高炉炉腹与炉腰部位，厚度约100-120mm，烘干。
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