[发明专利]湿法激光单晶硅嵌入式倒金字塔绒面制备

权利要求书

1.湿法激光单晶硅嵌入式倒金字塔绒面制备，其特征在于：按照单晶制绒-富氧化层热扩散-正面激光筛点-背面去PSG/BSG-背面碱抛光以及正面倒金字塔嵌入-扩散制结—正背面去PSG/BSG-热氧化-正背面钝化减反射膜-丝网印刷进行，在单晶制绒过程中，采用KOH、制绒辅助剂RN-008、纯水的混合溶液对尺寸为156.75mm的单晶P型硅片进行第一次表面金字塔绒面结构的制备，工艺制程中刻蚀量控制在0.5g±0.1g，制绒反射率约为8-10%，表面金字塔尺寸在1.5-3μm，其中，KOH的质量百反比浓度为2.2%，制绒辅助剂RN-008体积浓度为1.4%。

2.根据权利要求1所述的湿法激光单晶硅嵌入式倒金字塔绒面制备，其特征在于：富氧化层热扩散工艺中，在800℃下采用富氧模式进行薄层磷扩散，制备硅片表面PSG掩膜，沉积时间500s，PSG厚度5-8nm。

3.根据权利要求1所述的湿法激光单晶硅嵌入式倒金字塔绒面制备，其特征在于：正面激光筛点工艺，使用功率30W,光斑直径40μm的激光器对具有PSG掩膜的硅片表面进行整面的筛点扫描，激光图形要求整面均匀，光斑线距0.1μm，雕刻频率200KHz，雕刻速度24000mm/s。

4.根据权利要求1所述的湿法激光单晶硅嵌入式倒金字塔绒面制备，其特征在于：背面去PSG/BSG，采用链式清洗机去除背面的PSG/BSG，清洗液采用体积浓度5%-10%HF水溶液进行清洗，同时正面使用水膜保护，确保正面亲水，背面疏水。

5.根据权利要求1所述的湿法激光单晶硅嵌入式倒金字塔绒面制备，其特征在于：背面碱抛光以及正面倒金字塔嵌入，使用槽式清洗机进行正面倒金字塔结构的构建，正面绒面反射率进一步降低到6%，同时将背面进行抛光并使得背面反射率达到36%，刻蚀液采用KOH、六偏磷酸钠、水混合溶液，其中，KOH的质量百分比浓度为6%，六偏磷酸钠的质量百分浓度为3.4%；刻蚀前采用KOH、H₂O₂、水混合溶液在40-60℃条件下清洗50-90s，其中KOH的质量百分比浓度为0.2%，H₂O₂质量百分浓度为5%；刻蚀后采用KOH、H₂O₂、水混合溶液在60℃清洗2-3min，随后在体积比为10%HF与10%HCl混合溶液清洗2-3min；最后烘干，其中KOH的质量百分比浓度为0.4%，H₂O₂质量百分浓度为5%。

6.根据权利要求1所述的湿法激光单晶硅嵌入式倒金字塔绒面制备，其特征在于：扩散制结工艺，采用低压扩散炉在860℃进行时长1200s的磷扩散，完成结深0.3-0.6μm的P-n结的制备,控制方块电阻在110-125Ω/□。

7.根据权利要求1所述的湿法激光单晶硅嵌入式倒金字塔绒面制备，其特征在于：正背面去PSG/BSG，在槽式机中进行正背面PSG/BSG的清洗，清洗液采用氢氟酸/盐酸混合溶液，其中，氢氟酸和盐酸的体积浓度都为5%-8%，清洗时间为90-120s。