[发明专利]集成磁隔离芯片的边沿转换电路和转换方法

权利要求书

1.集成磁隔离芯片的边沿转换电路，包括上升沿转换单元、下降沿转换单元，其特征在于：

所述上升沿转换单元的输入端与信号输入端连接，输出端与或门的第一个输入端连接；

所述下降沿转换单元的输入端与信号输入端连接，输出端与或门的第二个输入端连接；

或门的输出端作为编码信号输出端；

所述上升沿转换单元为上升沿——长脉冲转换单元，所述下降沿转换单元为下降沿——短脉冲转换单元；

或者，所述上升沿转换单元为上升沿——短脉冲转换单元，所述下降沿转换单元为下降沿——长脉冲转换单元。

2.如权利要求1所述的集成磁隔离芯片的边沿转换电路，其特征在于，所述上升沿转换单元包括：

第一PMOS管(M1)，其源极接参考高电平，漏极接第二PMOS管(M2)的源极，栅极接信号输入端和第一参考点(N1)；

第二PMOS管(M2)，其漏极接第二参考点(N2)，其栅极接第三PMOS管(M3)的栅极和漏极；

第三PMOS管(M3)，其源极接参考高电平，其漏极通过第一电流源接地；

第四NMOS管(M4)，其源极接地，栅极和漏极接第五NMOS管的栅极，漏极还接第二电流源的输出端；

第五NMOS管(M5)，其源极接第六NMOS管(M6)的漏极，其漏极接第二参考点(N2)，漏极还通过电容(C2)接地；

第六NMOS管(M6)，其源极接地，栅极接信号输入端；

第一参考点(N1)通过第一延时电路接与门的第一输入端；

第二参考点(N2)通过第二延时电路接与门的第二输入端；

与门的输出端作为上升沿脉冲输出端。

3.如权利要求1所述的集成磁隔离芯片的边沿转换电路，其特征在于，所述下降沿转换单元包括：

第一PMOS管(M1)，其源极接参考高电平，漏极接第二PMOS管(M2)的源极，栅极接信号输入端和第一参考点(N1)；

第二PMOS管(M2)，其漏极接第二参考点(N2)，其栅极接第三PMOS管(M3)的栅极和漏极；

第三PMOS管(M3)，其源极接参考高电平，其漏极通过第一电流源接地；

第四NMOS管(M4)，其源极接地，栅极和漏极接第五NMOS管的栅极，漏极还接第二电流源的输出端；

第五NMOS管(M5)，其源极接第六NMOS管(M6)的漏极，其漏极接第二参考点(N2)，漏极还通过电容(C2)接地；

第六NMOS管(M6)，其源极接地，栅极接信号输入端；

第一参考点(N1)通过第一延时电路接或非门的第一输入端；

第二参考点(N2)通过第二延时电路接或非门的第二输入端；

或非门的输出端作为下降沿脉冲输出端。

4.集成磁隔离芯片的边沿转换方法，其特征在于，包括下述步骤：

1)检测输入的方波信号的上升沿和下降沿，将上升沿转换为长脉冲，下降沿转换为短脉冲，并行输出长脉冲和短脉冲两路信号；

2)采用或门，将前述两路并行的信号转换为一路串行信号。