[发明专利]晶圆表面电荷消除装置及方法有效
申请号: | 201910777052.2 | 申请日: | 2019-08-22 |
公开(公告)号: | CN110505742B | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 孟春霞;陈翰;张辰明;孟鸿林;魏芳 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 王江富 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 表面 电荷 消除 装置 方法 | ||
1.一种晶圆表面电荷消除装置,其特征在于,其包括一外壳(1)、一隔板(3)及一上极板(2);
所述外壳(1)形成一密闭腔体;
所述隔板(3)固定在所述外壳(1)中部,其收缩时所述外壳(1)形成的密闭腔体连通为一体,使上腔室内的带电空气进入下腔室,与工作台(5)上的待处理晶圆(9)接触,中和待处理晶圆(9)表面的电荷;其展开时使所述外壳(1)形成的密闭腔体隔离为密闭上腔室及密闭下腔室,通过上电极(21)和下电极(31)对上极板(2)和隔板(3)施加相反电性的直流电压,对上腔室内的气体进行电离,形成等离子气体;
隔板(3)同外壳(1)的侧壁及底板之间形成密闭下腔室,隔板(3)同外壳(1)的侧壁及顶板之间形成密闭上腔室;
下腔室处的外壳(1)侧壁设置有能打开及关闭的晶圆放置门;
所述上极板(2)设置在所述上腔室内并平行于所述隔板(3);
所述外壳(1)为绝缘材质;
所述上极板(2)及隔板(3)均为导电材质;
所述上极板(2)连接有上电极(21);
所述隔板(3)连接有下电极(31);
所述下腔室内放置有电荷量测装置(6)及能升降及旋转的工作台(5);
所述上腔室的侧壁设置有用于对上腔室充气及抽气的通气接口。
2.根据权利要求1所述的晶圆表面电荷消除装置,其特征在于,
所述工作台(5)与运动汽缸相连,能被运动汽缸驱动上升、下降以及旋转。
3.根据权利要求2所述的晶圆表面电荷消除装置,其特征在于,
晶圆表面电荷消除装置还包括气压量测计及充抽气装置(7);
所述气压量测计用于检测所述上腔室内的气压;
所述充抽气装置(7)用于通过所述通气接口对上腔室抽气及充气。
4.根据权利要求3所述的晶圆表面电荷消除装置,其特征在于,
所述电荷量测装置(6)安装于工作台(5)旁边,用于检测工作台(5)所承载晶圆表面的电荷极性以及电量分布。
5.根据权利要求4所述的晶圆表面电荷消除装置,其特征在于,
所述晶圆表面电荷消除装置还包括控制器;
所述控制器,根据电荷量测装置(6)测量的晶圆表面的电荷极性以及电量分布,以及预存的相应晶圆表面电荷模型,计算出需要中和的电荷量,根据需要中和的电荷量确定需要的气体量,根据需要的气体量及上腔室体积确定目标气压值,根据目标气压值来控制所述充抽气装置(7)工作,对上腔室进行充气或抽气,直到气压量测计监测的上腔室气压达到目标气压值。
6.一种权利要求5所述的晶圆表面电荷消除装置的晶圆表面电荷消除方法,其特征在于,包括以下步骤:
一.打开晶圆放置门,通过外部机械手将待处理晶圆(9)放置到工作台(5)上,然后关闭晶圆放置门;
二.展开隔板(3)形成完全隔断的上腔室和下腔室;
三.电荷量测装置(6)对待处理晶圆(9)表面电荷进行测量,如果待处理晶圆(9)表面电荷在设定范围内,进行步骤九,否则进行步骤四;
四.控制器根据待处理晶圆(9)表面的电荷极性以及电量分布,以及预存的相应晶圆表面电荷模型,计算出需要中和的电荷量,根据需要中和的电荷确定需要的气体量,根据确定需要的气体量及上腔室体积确定目标气压值,根据目标气压值来控制所述充抽气装置(7)工作,对上腔室进行充气或抽气,直到气压量测计监测的上腔室气压达到目标气压值;
五.通过上电极(21)和下电极(31)对上极板(2)和隔板(3)施加相反电性的直流电压,对上腔室内的气体进行电离,形成等离子气体;
六.隔板(3)断电,上极板(2)施加与待处理晶圆(9)表面的电荷相反的电压,收缩隔板(3)使得上腔室、下腔室连通,使上腔室内的带电空气进入下腔室,与工作台(5)上的待处理晶圆(9)接触,中和待处理晶圆(9)表面的电荷;
七.运动汽缸驱动工作台(5)带着待处理晶圆(9)向上移动并旋转;
八.经过设定时间后,进行步骤三;
九.打开晶圆放置门,通过外部机械手将工作台(5)上的待处理晶圆(9)取走,送入下一流程。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造