[发明专利]振荡器

说明书

本发明公开了一种振荡器，其包括RC振荡器及带隙基准源；带隙基准源为所述RC振荡器提供基准电流；带隙基准源输出基准电流的温度系数可调。本发明的振荡器，选择RC振荡器作为频率产生的模块，RC振荡器的振荡频率本身对电源依赖较小，可以得到一个本身频率较为准确的时钟源；在RC振荡器基础上增加一个带温度补偿功能带隙基准源，由温度系数可调的带隙基准源产生基准电流对RC振荡器的振荡频率固有温度系数进行温度系数补偿，降低温度对振荡器的影响，使得振荡器的输出频率尽量不随温度变化，提高了振荡器振荡频率精度。

技术领域

本发明涉及集成电路设计，特别涉及一种振荡器。

背景技术

常见的RC振荡器电路如图1所示，采用了电流舵结构，半周期由单边电流对电容充放电产生延迟，由于RS锁存器的输出Q和QB是反相信号，可以确保左右两路的开关(PM3,PM4,NM1,NM2)不发生同时关断的情况而导致电荷注入等开关电容的非理想效应使得R控制电压VCR或S控制电压VCS的电压发生跳变。由于采用了带逻辑门控制的RS触发器，使得对两路充放电的时间基本相同，从而保证输出信号的占空比。延迟主要由电流对电容充放电产生，故其振荡频率与电流和电容的有直接关系而与电源电压VDD关系不大。由于半导体器件本身的V-I特性对温度敏感，所以振荡器频率受温度影响较大，常见的RC振荡器电路的振荡频率精度主要受限于CMOS器件的温度漂移。

常见的RCOSC(RC振荡器)电路虽然基本做到了与电源无关，但频率精度仍然受到其它外部因素的影响，如温度和工艺等。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种振荡器，振荡频率精度高。

为解决上述技术问题，本发明提供的振荡器，其包括RC振荡器10及带隙基准源30；

所述带隙基准源30为所述RC振荡器10提供基准电流IREF；

所述带隙基准源30输出基准电流的温度系数可调。

较佳的，RC振荡器10、带隙基准源30在同一衬底上。

较佳的，所述带隙基准源30输出基准电流的温度系数与RC振荡器10输出振荡频率的温度系数相反。

较佳的，所述RC振荡器10、带隙基准源30均为采用CMOS工艺制造的半导体器件。

较佳的，所述带隙基准源30包括运算放大器OPAMP、第一PMOS管M1、第二PMOS管M2、第三PMOS管M3、第一PNP三极管Q1、第二PNP三极管Q2、第一电阻R1、第二电阻R2及第三电阻R3；

第一电阻R1、第二电阻R2的阻值可调；

运算放大器OPAMP的输出接第一PMOS管M1、第二PMOS管M2及第三PMOS管M3的栅极；

第一PMOS管M1、第二PMOS管M2及第三PMOS管M3的源端同接工作电压VDD；

第一PMOS管M1漏端、第一PNP三极管Q1发射极同接所述运算放大器OPAMP的正输入端；

第一电阻R1接在所述运算放大器OPAMP的正输入端同地之间；

第二PMOS管M2漏端接所述运算放大器OPAMP的负输入端；

第三电阻R3接在所述运算放大器OPAMP的负输入端同第二PNP三极管Q2发射极之间；

第二电阻R2接在所述运算放大器OPAMP的负输入端同地之间；

第一PNP三极管Q1的基极、集电极，以及第二PNP三极管Q2的基极、集电极均接地；

第三PMOS管M3的漏端输出基准电流IREF。