[发明专利]反向曝光辅助图形添加方法及其添加系统

权利要求书

1.一种反向曝光辅助图形添加方法，用于半导体芯片线形测试版图，其特征在于，包括以下步骤：

S1，通过逻辑操作在测试版图边缘筛选出反向曝光辅助图形添加区域；

S2，根据测试版图边缘线之间距离，将反向曝光辅助图形添加区域划分为不同的反向曝光辅助图形添加类型；

S3，根据已经建立的工艺窗口OPC模型确定添加反向曝光辅助图形的参数范围；

S4，获取基于工艺窗口OPC模型添加反向曝光辅助图形后得到的工艺波动带宽值作为工艺窗口尺寸评判标准；

S5，对不同的反向曝光辅助图形添加类型分别添加不同尺寸的反向曝光辅助图形，使基于设计规则添加的反向曝光辅助图形获得的版图符合工艺窗口尺寸评判标准，完成反向曝光辅助图形添加。

2.如权利要求1所述的反向曝光辅助图形添加方法，其特征在于：实施步骤S1时，通过逻辑操作在测试版图边缘筛选出边缘线的线宽大于等于N倍其相邻线的线宽的区域作为反向曝光辅助图形添加区域，N＞1。

3.如权利要求2所述的反向曝光辅助图形添加方法，其特征在于：通过逻辑操作在测试版图边缘筛选出边缘线的线宽大于等于2.5倍其相邻线的线宽的区域作为反向曝光辅助图形添加区域。

4.如权利要求1所述的反向曝光辅助图形添加方法，其特征在于：实施步骤S2时，采用以下方式划分添加类型；

D1≤（A×W1），则将该反向曝光辅助图形添加区域划分为第一类添加类型；

（A×W1）＜D1＜（B×W1），则将该反向曝光辅助图形添加区域划分为第二类添加类型；

（B×W1）≤D1，则将该反向曝光辅助图形添加区域划分为第三类添加类型；

其中，1＜A＜B，D1是测试版图两根边缘线之间距离，W1是边缘线的线宽。

5.如权利要求4所述的反向曝光辅助图形添加方法，其特征在于：A=3，B=5。

6.如权利要求1所述的反向曝光辅助图形添加方法，其特征在于：

当线形测试版图边缘线只能添加一根反向曝光辅助图形时，在偏离线形测试版图边缘线中心的位置添加反向曝光辅助图形。

7.一种反向曝光辅助图形添加系统，用于半导体芯片线形测试版图，其特征在于，包括：

添加区域筛选模块，其通过逻辑操作在测试版图边缘筛选出反向曝光辅助图形添加区域；

添加类型划分模块，其根据测试版图边缘线之间距离，将反向曝光辅助图形添加区域划分为不同的反向曝光辅助图形添加类型；

参数模块，其根据已经建立的工艺窗口OPC模型确定添加反向曝光辅助图形的参数范围；

评判标准获取模块，其获取基于工艺窗口OPC模型添加反向曝光辅助图形后得到的工艺波动带宽值（PV-band）作为工艺窗口尺寸评判标准；

辅助图形添加模块，其对不同的反向曝光辅助图形添加类型分别添加不同尺寸的反向曝光辅助图形，使基于设计规则添加的反向曝光辅助图形获得的版图符合工艺窗口尺寸评判标准，完成反向曝光辅助图形添加。

8.如权利要求7所述的反向曝光辅助图形添加系统，其特征在于：添加区域筛选模块，通过逻辑操作在测试版图边缘筛选出边缘线的线宽大于等于N倍其相邻线的线宽的区域作为反向曝光辅助图形添加区域，N＞1。

9.如权利要求8所述的反向曝光辅助图形添加系统，其特征在于：添加区域筛选模块，通过逻辑操作在测试版图边缘筛选出边缘线的线宽大于等于2.5倍其相邻线的线宽的区域作为反向曝光辅助图形添加区域。