[发明专利]栅极环绕场效应晶体管有效
| 申请号： | 201910777191.5 | 申请日： | 2019-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN110491946B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 白文琦;李昆鸿;王世铭;黄志森;胡展源 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/417 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极 环绕 场效应 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种栅极环绕场效应晶体管，其特征在于，包括：
栅极结构，所述栅极结构从内向外依次包括纳米片状或者纳米线状的沟道、环绕在所述沟道外的栅氧化层，环绕在所述栅氧化层外的界面缓冲层，环绕在所述界面缓冲层外的负电容层，环绕在所述负电容层外的功函数金属层，以及环绕在所述功函数金属层外的顶层金属层；
源极结构，所述源极结构沿所述沟道的方向位于所述栅极结构的第一侧，且与所述栅极结构的所述沟道接触；
漏极结构，所述漏极结构沿所述沟道的方向位于所述栅极结构的第二侧，且与所述栅极结构的所述沟道接触，所述源极结构和所述漏极结构通过所述沟道实现导通；
其中，所述栅氧化层包括界面层和高k介电层，所述界面缓冲层包括氮化物，所述栅极环绕场效应晶体管的功函数由所述界面缓冲层、所述负电容层以及所述功函数金属层决定。
2.根据权利要求1所述的栅极环绕场效应晶体管，其特征在于，所述负电容层包括铁电材料。
3.根据权利要求1所述的栅极环绕场效应晶体管，其特征在于，所述栅极结构包括至少两个沟道，所述至少两个沟道共用一层功函数金属层。
4.根据权利要求1所述的栅极环绕场效应晶体管，其特征在于，所述沟道包括硅，和/或，锗。
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