[发明专利]晶圆清洗方法及晶圆清洗设备

权利要求书

1.一种晶圆清洗方法，其特征在于，包括：

向二相流发生装置的进液口通入纳米气泡水，使所述二相流发生装置喷出纳米气泡水喷雾；

所述向二相流发生装置的进液口通入纳米气泡水的步骤包括：向纳米气泡水发生装置中通入用于产生纳米气泡水的气体和液体，利用所述纳米气泡水发生装置将进入其内部的气体和液体加压混合，生成所述纳米气泡水；

将所述纳米气泡水发生装置生成的所述纳米气泡水的第一部分通入二相流发生装置的进液口，将所述纳米气泡水发生装置生成的所述纳米气泡水的第二部分重新通入所述纳米气泡水发生装置，将所述纳米气泡水发生装置生成的所述纳米气泡水的第三部分排出；

利用所述纳米气泡水喷雾对所述晶圆进行清洗；其中，

所述纳米气泡水的第一部分的气泡直径和所述纳米气泡水的第二部分的气泡直径均小于预定阈值,且所述纳米气泡水的第二部分的气泡直径大于所述纳米气泡水的第一部分的气泡直径；所述纳米气泡水的第三部分的气泡直径大于或等于所述预定阈值。

2.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述纳米气泡水发生装置将通入其内部的气体和液体加压混合的过程中，施加的压力在0.5MPa-2.0MPa之间，向所述纳米气泡水发生装置中通入的气体的流量在0.4L/min-0.6L/min之间，向所述纳米气泡水发生装置中通入的液体的流量在1.9L/min-2.1L/min之间，以使所述纳米气泡水发生装置生成的所述纳米气泡水的气液体积比在0.04-0.10之间。

3.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，在所述利用所述纳米气泡水喷雾对所述晶圆进行清洗的步骤之后，还包括：

向所述晶圆表面喷射浸润液体，利用所述浸润液体对所述晶圆表面进行浸润；

向所述晶圆表面喷射干燥气体，对所述晶圆进行干燥。

4.根据权利要求3所述的晶圆清洗方法，其特征在于，在利用所述纳米气泡水喷雾对所述晶圆进行清洗、向所述晶圆表面喷射浸润液体以及向所述晶圆表面喷射干燥气体的过程中，均控制所述晶圆转动。

5.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述向二相流发生装置的进液口通入纳米气泡水，使所述二相流发生装置喷出纳米气泡水喷雾的步骤包括：

向所述二相流发生装置的所述进液口通入所述纳米气泡水，所述纳米气泡水的流量在0.06L/min-0.15L/min之间；

同时，向所述二相流发生装置的进气口通入用于生成所述纳米气泡水喷雾的气体，该气体的流量在6L/min-12L/min之间。

6.一种晶圆清洗设备，其特征在于，包括：纳米气泡水发生装置以及二相流发生装置，其中，

所述纳米气泡水发生装置用于生成纳米气泡水；

所述二相流发生装置包括：第一进液口、第一进气口和喷雾口，其中，所述第一进液口与所述纳米气泡水发生装置连通，所述第一进气口与用于生成纳米气泡水喷雾的气源连通；

所述二相流发生装置用于将通入其内部的所述纳米气泡水和气体加压混合，生成纳米气泡水喷雾，并通过所述喷雾口将所述纳米气泡水喷雾喷出；其中，

所述纳米气泡水发生装置包括：纳米气泡水生成腔和纳米气泡水缓冲腔，所述纳米气泡水生成腔具有第二进液口、第二进气口和第一出液口；所述纳米气泡水缓冲腔具有第三进液口、第二出液口和第三出液口，所述第二出液口与所述第一进液口连通，用于将所述纳米气泡水缓冲腔中的所述纳米气泡水的第一部分通入所述二相流发生装置；

所述第二进液口与用于生成所述纳米气泡水的水源连通；所述第二进气口与用于生成所述纳米气泡水的气源连通；所述第一出液口与所述第三进液口连通；所述第三出液口与所述第二进液口连通，用于将所述纳米气泡水缓冲腔中的所述纳米气泡水的第二部分通入所述纳米气泡水生成腔；

其中，所述纳米气泡水的第一部分的气泡直径和所述纳米气泡水的第二部分的气泡直径均小于预定阈值,且所述纳米气泡水的第二部分的气泡直径大于所述纳米气泡水的第一部分的气泡直径。