[发明专利]具有自对准源区的功率半导体器件

权利要求书

1.一种形成功率半导体器件（1）的方法（2），包括：

-提供具有半导体本体表面（100）的半导体本体（10）；

-在半导体本体表面（100）上方形成（20）辅助层（19），辅助层（19）耦合到半导体本体（10）并具有辅助层表面（190）；

-形成（21）多个沟槽（14、15），沟槽（14、15）从辅助层表面（190）沿竖直方向（Z）延伸穿过辅助层（19）到半导体本体（10）中，其中沟槽中的两个相邻沟槽（14、15）的彼此面对的两个沟槽侧壁（144、154）沿第一横向方向（X）横向限定半导体本体（10）的台面区（105），其中两个相邻沟槽（14、15）包括针对竖直方向（Z）从半导体本体表面（100）突出至少50nm的突出距离（A）的相应沟槽部分（149、159）；

-用至少一种沟槽填充材料填充（22、23）沟槽（14、15）；

-平坦化至少一种沟槽填充材料以暴露辅助层（19）；

-至少部分地移除（24）辅助层（19），同时维持包括至少一种沟槽填充材料（142、152）的突出沟槽部分（149、159）；

-使台面区（105）经受用于在台面区（105）中形成半导体分区（101）的注入处理步骤（25），其中注入（251）相对于竖直方向（Z）倾斜至少10°的角度，并且其中相邻沟槽（14、15）的突出沟槽部分（149、159）在倾斜注入期间至少部分地用作掩模。

2.根据权利要求1所述的方法（2），其中，执行所述注入（251）使得所述半导体分区（101）与所述两个沟槽侧壁中的仅一个（144）相邻布置，并且沿所述第一横向方向（X）与所述两个沟槽侧壁中的另一个（154）在空间上移位。

3.根据前述权利要求之一所述的方法（2），其中，所述半导体分区（101）延伸不超过沿所述第一横向方向（X）的所述台面区（105）的宽度的80％。

4.根据前述权利要求之一所述的方法（2），其中，所述半导体分区（101）是第一导电类型的源区（101），所述方法（2）还包括：

-在所述台面区（105）中形成第二导电类型的半导体本体区（102），其中使第二导电类型的半导体本体区（102）经受所述注入（251）。

5.根据权利要求4所述的方法（2），其中，所述半导体本体区（102）沿所述第一横向方向（X）上的所述台面区（105）的整个宽度延伸，并且被布置成与两个所述沟槽侧壁（144、154）接触。

6.根据前述权利要求之一所述的方法（2），其中，所述注入（251）被执行成不使与所述两个沟槽侧壁中的另一个（154）相邻的所述台面区（105）的子部分经受所述注入（251）。

7.根据前述权利要求之一所述的方法（2），其中，用至少一种沟槽填充材料填充（22、23）沟槽（14、15）包括在所述沟槽（14、15）中形成沟槽电极（141、151），其中所述沟槽电极（141、151）形成突出沟槽部分（149、159）的一部分并且针对竖直方向从半导体本体表面（100）突出至少50nm。

8.根据前述权利要求之一所述的方法（2），还包括在至少部分地移除（24）辅助层（19）之后并且在执行用于形成半导体分区（101）的所述注入（251）之前：

-用绝缘材料（194）覆盖突出沟槽部分（149、159）。

9.根据前述权利要求之一所述的方法，还包括：

-在相邻沟槽（14、15）之间形成沿竖直方向（Z）延伸到台面区（105）中或延伸到半导体本体表面（100）的接触槽（111）。

10.根据权利要求9所述的方法（2），其中，形成接触槽（111）包括：

-形成（26）与突出沟槽部分（149、159）横向相邻的间隔物元件（18）。