[发明专利]一种CoSn双金属氧化物半导体材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201910777866.6 | 申请日： | 2019-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN110455874A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 张晓;徐瑶华;刘皓;赵文瑞;魏峰 | 申请（专利权）人： | 有研工程技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12;G01N27/04 |
| 代理公司： | 11246 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄家俊<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 101407北京市怀*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 半导体材料 氨气 纳米颗粒粒径 双金属氧化物 气体传感器 检测材料 纳米颗粒 性能优势 灵敏度 摩尔比 检测 甲烷 基线 乙醇 收率 | ||
1.一种CoSn双金属氧化物半导体材料，其特征在于，所述材料由不同摩尔比例的Co和Sn纳米颗粒组成，Co和Sn的摩尔比为0.1-10，纳米颗粒粒径为20-50nm。
2.根据权利要求1所述的CoSn双金属氧化物半导体材料，其特征在于，所述材料在350℃时，对100ppm乙醇的灵敏度为14.1～50。
3.根据权利要求1所述的一种CoSn双金属氧化物半导体材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)分别称取Co和Sn的金属盐，溶于无水乙醇或乙醇与甲醇的混合溶液中，搅拌形成澄清溶液A；
2)称取沉淀剂溶于无水乙醇或乙醇与甲醇的混合溶液中，搅拌形成澄清溶液B；
3)将步骤1)得到的溶液A快速加入步骤2)形成的溶液B中，充分静置，得到双金属氧化物前驱体沉淀；
4)采用无水乙醇对步骤3)得到的前驱体沉淀进行洗涤并干燥；
5)将步骤4)得到的前驱体沉淀研磨并煅烧，得到CoSn双金属氧化物。
4.根据权利要求2所述的CoSn双金属氧化物半导体材料的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中，所述金属盐为Co、Sn的硝酸盐或氯化盐。
5.根据权利要求2所述的CoSn双金属氧化物半导体材料的制备方法，其特征在于，所述溶液B中，沉淀剂为2-甲基咪唑，沉淀剂与金属盐的摩尔比为1:4。
6.根据权利要求2所述的CoSn双金属氧化物半导体材料的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中，静置时间为12-24h。
7.根据权利要求2所述的CoSn双金属氧化物半导体材料的制备方法，其特征在于，所述步骤5)中，煅烧过程的升温速率为2-10℃/min，煅烧环境为空气，煅烧温度为400～800℃。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于有研工程技术研究院有限公司，未经有研工程技术研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910777866.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
