[发明专利]垂直磁化的磁穿隧接面单元的制作方法在审
| 申请号： | 201910778309.6 | 申请日： | 2019-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN110858618A | 公开（公告）日： | 2020-03-03 |
| 发明（设计）人： | 杰诺真;裘地玛丽艾维塔;童儒颖;刘焕龙;李元仁;朱健 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;H01L43/10 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 任芸芸;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 垂直 磁化 磁穿隧接面 单元 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种垂直磁化的磁穿隧接面单元的制作方法，包括：
(a)提供多个层状物的一垂直磁化的磁穿隧接面堆叠，且多个所述层状物具有最上侧的一穿隧阻挡层；
(b)沉积一自由层于该穿隧阻挡层上，其中该自由层为含硼的一单层，或具有至少一含硼的层状物的多层；
(c)对该自由层进行含钝气的一第一等离子体处理；
(d)进行一自然氧化工艺，氧化该自由层的至少一上侧部分中的硼以形成氧化硼，且该自然氧化工艺具有氧气流；
(e)沉积一金属层于氧化的该自由层上；以及
(f)进行至少一退火步骤，以由该自由层分离该氧化硼。
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