[发明专利]一种钝化接触太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种钝化接触太阳能电池，其特征在于，包括：

硅衬底；

位于所述硅衬底的第一表面的隧穿层；

位于所述隧穿层背离所述硅衬底的表面的本征多晶硅层；

位于所述本征多晶硅层背离所述隧穿层的表面的掺杂多晶硅层；

位于所述掺杂多晶硅层背离所述本征多晶硅层的表面的第一钝化层；

位于所述第一钝化层背离所述掺杂多晶硅层的表面的第一电极；

位于所述硅衬底的第二表面的扩散层；

位于所述扩散层背离所述硅衬底的表面的第二钝化层；

位于所述第二钝化层背离所述扩散层的表面的减反层；

位于所述减反层背离所述第二钝化层的表面的第二电极；

其中，所述第一表面与所述第二表面相对。

2.如权利要求1所述的钝化接触太阳能电池，其特征在于，所述本征多晶硅层的厚度取值范围为1nm至20nm，包括端点值。

3.如权利要求1所述的钝化接触太阳能电池，其特征在于，所述隧穿层为下述任一种或者任意组合层叠的隧穿层：

氧化硅隧穿层、二氧化铪隧穿层、氮化硅隧穿层、氮氧化硅隧穿层、三氧化二铝隧穿层。

4.如权利要求3所述的钝化接触太阳能电池，其特征在于，所述隧穿层的厚度取值范围为1nm至5nm，包括端点值。

5.如权利要求1至4任一项所述的钝化接触太阳能电池，其特征在于，所述掺杂多晶硅层的厚度取值范围为10nm至300nm，包括端点值。

6.一种钝化接触太阳能电池制备方法，其特征在于，包括：

在硅衬底的第一表面形成隧穿层；

在所述隧穿层背离所述硅衬底的表面形成本征多晶硅层；

在所述本征多晶硅层背离所述隧穿层的表面形成掺杂多晶硅层；

在所述掺杂多晶硅层背离所述本征多晶硅层的表面形成第一钝化层；

在所述第一钝化层背离所述掺杂多晶硅层的表面形成第一电极；

在所述硅衬底的第二表面形成扩散层；

在所述扩散层背离所述硅衬底的表面形成第二钝化层；

在所述第二钝化层背离所述扩散层的表面形成减反层；

在所述减反层背离所述第二钝化层的表面形成第二电极；

其中，所述第一表面与所述第二表面相对。

7.如权利要求6所述的钝化接触太阳能电池制备方法，其特征在于，在所述隧穿层背离所述硅衬底的表面形成本征多晶硅层包括：

利用低压力化学气相沉积法，在所述隧穿层背离所述硅衬底的表面形成所述本征多晶硅层。

8.如权利要求6所述的钝化接触太阳能电池制备方法，其特征在于，在硅衬底的第一表面形成隧穿层包括：

利用硝酸氧化法，在所述硅衬底的第一表面形成所述隧穿层。

9.如权利要求6至8任一项所述的钝化接触太阳能电池制备方法，其特征在于，在硅衬底的第一表面形成隧穿层之前，还包括：

对所述硅衬底进行制绒。

10.如权利要求9所述的钝化接触太阳能电池制备方法，其特征在于，在所述扩散层背离所述硅衬底的表面形成第二钝化层包括：

利用原子层沉积法，在所述扩散层背离所述硅衬底的表面形成所述第二钝化层。