[发明专利]一种非多孔自适应性有机荧光晶体材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种非多孔自适应性有机荧光晶体材料，其特征在于，荧光基团蒽共轭于柱芳烃的一个单元上，命名为P5en，其结构式如下：

式中，R为甲基或乙基。

2.根据权利要求1所述的非多孔自适应性有机荧光晶体材料的制备方法，包括：

(1)将单OTf基柱[5]芳烃、9-炔基蒽为反应物和催化剂四(三苯基膦)钯或双(三苯基膦)二氯化钯按摩尔比1:2～4:0.1～0.3溶解到高沸点溶剂中，在氩气保护下，进行Sonogashira偶联反应，反应结束后，对反应后的产物进行硅胶柱层析分离提纯，浓缩得P5en固体粉末；

(2)步骤(1)中得到的P5en固体粉末，通过饱和溶液溶剂自然挥发法获得P5en原始晶体；

(3)将步骤(2)得到的P5en原始晶体充分研磨，然后置于高温真空条件下进行活化，得到非多孔自适应性P5en晶体。

3.根据权利要求2所述的非多孔自适应性有机荧光晶体材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述的单OTf基柱[5]芳烃为单OTf基甲基柱[5]芳烃或单OTf基乙基柱[5]芳烃。

4.根据权利要求2所述的非多孔自适应性有机荧光晶体材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的Sonogashira偶联反应的温度为90～120℃，反应时间为6～12h。

5.根据权利要求2所述的非多孔自适应性有机荧光晶体材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述的硅胶柱层析的洗脱剂为石油醚和氯仿混合液，石油醚：氯仿的体积比为1:1～2:1。

6.根据权利要求2所述的非多孔自适应性有机荧光晶体材料的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述的溶剂为脂肪酮类溶剂，所述的饱和溶液溶剂为在50～60℃的条件下配置的P5en的饱和脂肪酮类溶剂，然后放置于20～30℃下，自然挥发2～3天，得到P5en原始晶体。

7.根据权利要求2所述的非多孔自适应性有机荧光晶体材料的制备方法，其特征在于，步骤(3)中所述的活化的温度为110～130℃，活化的时间为24～30h。

8.根据权利要求1所述的非多孔自适应性有机荧光晶体材料的应用，其特征在于，所述具有荧光变色响应的非多孔自适应性P5en晶体材料对挥发性有机物具有荧光变色响应，用于检测挥发性有机物。

9.根据权利要求8所述的非多孔自适应性有机荧光晶体材料的应用，其特征在于，所述的挥发性有机物为C₄～C₆直链烷基酮类化合物。

10.根据权利要求8所述的非多孔自适应性有机荧光晶体材料的应用，其特征在于，包括，将具有荧光变色响应的非多孔自适应性P5en晶体材料置于C₄～C₆直链烷基酮类化合物气氛中，经过0.5～3h，观察到非多孔自适应性P5en晶体材料发生明显的荧光变色。