[发明专利]一种光学装置

权利要求书

1.一种光学装置，其特征在于，该光学装置包含LED芯片、可见光发光材料、近红外发光材料；

其中近红外和可见光发光材料在LED芯片激发下，发射的650-1000nm波段光功率为A；

近红外和可见光发光材料在LED芯片激发下发射的350-650nm波段光功率，以及LED芯片激发近红外和可见光发光材料后LED芯片在350-650nm波段的残留发射光功率，两者之和为B；

其中B/A*100％为0.1％-10％；

所述近红外发光材料包含分子式为aSc₂O₃·A₂O₃·bCr₂O₃和Ln₂O₃·cE₂O₃·dCr₂O₃中的一种，其中A元素至少含有Al和Ga元素中的一种，必含Ga元素，Ln元素至少含有Y、Lu、Gd元素中的一种，必含Y元素，E元素至少含有Al和Ga元素中的一种，必含Ga元素，0.001≤a≤0.6，0.001≤b≤0.1，1.5≤c≤2，0.001≤d≤0.2，上述两种分子式分别具有β-Ga₂O₃结构以及石榴石结构；

所述可见光发光材料分子式含有通式M_1-eAlSiN₃:Eu²⁺_e和M_2-fSi₅N₈:Eu²⁺_f中的发光材料中的一种或两种，其中，M元素至少含有Ca和Sr中的一种或两种，0.0001≤e≤0.1，0.0001≤f≤0.1。

2.根据权利要求1所述的光学装置，其特征在于，所述光学装置中LED芯片的发射峰值波长位于420-470nm范围内，在LED芯片激发下，可见光和近红外发光材料发出的光以及LED芯片激发后残留光的混合光色温为1000-5000K。

3.根据权利要求1所述的光学装置，其特征在于，所述可见光发光材料发射峰值波长为600-670nm。

4.根据权利要求3所述的光学装置，其特征在于，所述可见光发光材料发射峰值波长为610-620nm。

5.根据权利要求3或4所述的光学装置，其特征在于，所述光学装置LED芯片激发下，可见光和近红外发光材料发出的光以及LED芯片激发后残留光的混合光色温为1400-3000K。

6.根据权利要求1-2任一项所述的光学装置，其特征在于，所述近红外发光材料占其与可见光发光材料质量之和的90-99.9％。

7.根据权利要求6所述的光学装置，其特征在于，所述近红外发光材料中值粒径D50为22-30μm，可见光发光材料中值粒径D50为10-20μm。

8.根据权利要求2所述的光学装置，其特征在于，所述可见光发光材料位于LED芯片层与近红外发光材料之间，且被近红外发光材料覆盖。

9.根据权利要求8所述的光学装置，其特征在于，可见光发光材料在LED芯片发光面垂直方向涂覆质量占可见光发光材料总质量的10-30％。