[发明专利]一种太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

硅衬底；

位于所述硅衬底的第一表面的扩散层；

位于所述扩散层背离所述硅衬底的表面的第一钝化层；

位于所述第一钝化层背离所述扩散层的表面的氮氧化硅层；

位于所述氮氧化硅层背离所述第一钝化层的表面的减反层；

位于所述减反层背离所述氮氧化硅层的表面的第一电极；

位于所述硅衬底的第二表面的隧穿层；

位于所述隧穿层背离所述硅衬底的表面的掺杂多晶硅层；

位于所述掺杂多晶硅层背离所述隧穿层的表面的第二钝化层；

位于所述第二钝化层背离所述掺杂多晶硅层的表面的第二电极；

其中，所述第一表面与所述第二表面相对。

2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述氮氧化硅层的厚度取值范围为3纳米至5纳米，包括端点值。

3.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述隧穿层的厚度取值范围为0.5纳米至2纳米，包括端点值。

4.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂多晶硅层的厚度取值范围为100纳米至300纳米，包括端点值。

5.如权利要求至1至4任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层的厚度取值范围为4纳米至8纳米，包括端点值。

6.一种太阳能电池制备方法，其特征在于，包括：

在硅衬底的第一表面形成扩散层；

在所述扩散层背离所述硅衬底的表面形成第一钝化层；

在所述第一钝化层背离所述扩散层的表面形成氮氧化硅层；

在所述氮氧化硅层背离所述第一钝化层的表面形成减反层；

在所述减反层背离所述氮氧化硅层的表面形成第一电极；

在所述硅衬底的第二表面形成隧穿层；

在所述隧穿层背离所述硅衬底的表面形成掺杂多晶硅层；

在所述掺杂多晶硅层背离所述隧穿层的表面形成第二钝化层；

在所述第二钝化层背离所述掺杂多晶硅层的表面形成第二电极；

其中，所述第一表面与所述第二表面相对。

7.如权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，在所述隧穿层背离所述硅衬底的表面形成掺杂多晶硅层包括：

在所述隧穿层背离所述硅衬底的表面形成本征多晶硅层；

对所述本征多晶硅层进行掺杂，形成所述掺杂多晶硅层。

8.如权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，对所述多晶硅层进行掺杂包括：

利用离子注入法或者扩散法，对所述多晶硅层进行掺杂。

9.如权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，在所述硅衬底的第二表面形成隧穿层包括：

利用高温热氧化法、硝酸氧化法、臭氧氧化法、化学气相沉积法中的任一种方法，在所述硅衬底的第二表面形成所述隧穿层。

10.如权利要求6至9任一项所述的太阳能电池，其特征在于，在硅衬底的第一表面形成扩散层之前，还包括：

对所述硅衬底进行制绒。