[发明专利]三维存储结构及其制作方法

权利要求书

1.一种三维存储结构，其特征在于，包括：

衬底和堆叠结构，所述堆叠结构位于所述衬底上；

所述堆叠结构包括核心阵列区域和位于所述核心阵列区域至少一侧的台阶区域，所述三维存储结构还包括位于所述堆叠结构中并贯穿至所述衬底的孔结构，所述孔结构包括多个沟道孔，各所述沟道孔中设置有存储结构；

将所述堆叠结构划分为沿第一方向顺序排列的第一区域、第二区域和第三区域；

所述第一方向为由所述核心阵列区域指向所述台阶区域的方向；

所述第二区域包括部分所述核心阵列区域和部分所述台阶区域；

所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域中均分布有所述孔结构，定义位于所述第一区域中所述孔结构的密度为R₁，位于所述第二区域中所述孔结构的密度为R₂，位于所述第三区域中所述孔结构的密度为R₃，R₁和R₂和R₃不完全相同，

在所述第一方向上，所述第二区域中所述孔结构的密度由R_max渐变至R_min，且R₁≥R_max＞R_min≥R₃。

2.根据权利要求1所述的三维存储结构，其特征在于，R₁R₂R₃。

3.根据权利要求1所述的三维存储结构，其特征在于，定义位于所述第一区域中的所述孔结构为第一通孔，位于所述第二区域中的所述孔结构为第二通孔，位于所述第三区域中的所述孔结构为第三通孔，所述第一通孔、所述第二通孔和所述第三通孔在所述衬底上的投影具有相同尺寸，定义任意两个相邻的所述第一通孔的间距为L₁，任意两个相邻的所述第二通孔的间距为L₂，任意两个相邻的所述第三通孔的间距为L₃，L₁、L₂和L₃不完全相同。

4.根据权利要求3所述的三维存储结构，其特征在于，L₁＜L₂＜L₃。

5.根据权利要求4所述的三维存储结构，其特征在于，

在所述第一方向上，任意两个相邻的所述第二通孔之间的间距相等；

在所述第一方向上，所述第一通孔的间距渐变和/或所述第三通孔的间距渐变。

6.根据权利要求5所述的三维存储结构，其特征在于，

在所述第一方向上，任意两个相邻的所述第二通孔的间距渐变。

7.根据权利要求6所述的三维存储结构，其特征在于，

在所述第一方向上，任意两个相邻的所述第二通孔的间距由L_min渐变至L_max，且L₁＜L_min＜L_max＜L₃。

8.根据权利要求1所述的三维存储结构，其特征在于，定义位于所述第一区域中的所述孔结构为第一通孔，位于所述第二区域中的所述孔结构为第二通孔，位于所述第三区域中的所述孔结构为第三通孔，任意两个相邻的所述第一通孔的间距、任意两个相邻的所述第二通孔的间距以及任意两个相邻的所述第三通孔的间距相同，定义所述第一通孔在所述衬底上投影的面积为S₁，所述第二通孔在所述衬底上投影的面积为S₂，所述第三通孔在所述衬底上投影的面积为S₃，S₁、S₂和S₃不完全相同。

9.根据权利要求8所述的三维存储结构，其特征在于，S₁＞S₂＞S₃。