[发明专利]一种用于辐射探测器的微弱信号读出电路有效

专利信息
申请号: 201910780457.1 申请日: 2019-08-22
公开(公告)号: CN110460313B 公开(公告)日: 2020-08-18
发明(设计)人: 唐明华;周焱;李正;兰燕 申请(专利权)人: 湘潭大学
主分类号: H03F3/16 分类号: H03F3/16;G01T7/00
代理公司: 湘潭市汇智专利事务所(普通合伙) 43108 代理人: 陈伟
地址: 411105 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 辐射 探测器 微弱 信号 读出 电路
【权利要求书】:

1.一种用于辐射探测器的微弱信号读出电路,其特征在于:包括电荷放大电路和滤波成形电路,所述滤波成形电路包括滤波器和基线稳定电路,所述电荷放大电路的输入端与辐射探测器的输出端连接,电荷放大电路的输出端与滤波器的输入端相连,滤波器的输出端输出读出信号,所述基线稳定电路的输入端与滤波器的输出端、基准电压相连,基线稳定电路的输出端与滤波器的输入端相连;

所述基线稳定电路包括第五电容、第六电容、第一运算放大器、第九至第十四MOS管,所述第一运算放大器的反相输入端与滤波器的输出端连接,第一运算放大器的同相输入端接基准电源,第一运算放大器的输出端与第九MOS管的栅极相连,第九MOS管的源极、第十MOS管的漏极、第五电容的一端、第十一MOS管的栅极连接在一起,第十MOS管的源极、第五电容的另一端、第十一MOS管的漏极、第六电容的一端连接在一起,第九MOS管的漏极、第十二MOS管的源极、第十三MOS管的源极连接在一起,第十二MOS管的漏极、第十一MOS管的源极、第六电容的另一端、第十四MOS管的栅极连接在一起,第十三MOS管的栅极、第十三MOS管的漏极、第十四MOS管的源极连接在一起,第十四MOS管的漏极作为基线稳定电路的输出端,所述第十MOS管偏置电流为IBN,第十二MOS管偏置电流为IBP

2.根据权利要求1所述的用于辐射探测器的微弱信号读出电路,其特征在于:所述电荷放大电路包括第一至第八MOS管、第一单输入运算放大器、第二单输入运算放大器、第一至第四电容,所述第一单输入运算放大器的输入端、第一电容一端、第一MOS管漏极连接在一起并作为电荷放大电路的输入端,所述第一单输入运算放大器的输出端、第五MOS管的栅极、第一电容另一端、第二电容一端连接在一起,所述第五MOS管的漏极、第一MOS管的栅极、第六MOS管的栅极、第六MOS管的漏极、第二MOS管的栅极连接在一起,所述第一MOS管的源极、第六MOS管的源极、第二MOS管的源极、第七MOS管的源极连接在一起,所述第二单输入运算放大器的输入端、第二MOS管的漏极、第二电容另一端、第三电容一端、第三MOS管的漏极连接在一起,所述第二单输入运算放大器的输出端、第七MOS管的栅极、第三电容的另一端、第四电容的一端连接在一起,所述第七MOS管的漏极、第三MOS管的栅极、第八MOS管的栅极、第八MOS管的漏极、第四MOS管的栅极连接在一起,所述第五MOS管的源极、第三MOS管的源极、第八MOS管的源极、第四MOS管的源极连接在一起,所述第四电容的另一端与第四MOS管的漏极连接在一起并作为电荷放大电路的输出端。

3.根据权利要求1所述的用于辐射探测器的微弱信号读出电路,其特征在于:所述滤波器包括第七至第九电容、第一至第五电阻、第三单输入运算放大器、第二运算放大器,所述第三单输入运算放大器的输入端作为滤波器的输入端,所述第七电容跨接在第三单输入运算放大器的输入端与输出端之间,第一电阻并接在第七电容两端,第三单输入运算放大器的输出端依次经第二电阻、第三电阻后接至第二运算放大器的同相输入端,所述第八电容一端接地,第八电容另一端接第二运算放大器的同相输入端,第二运算放大器的反相输入端经第四电阻后接地,第五电阻跨接在第二运算放大器的反相输入端与输出端之间,第九电容的一端接在第二电阻与第三电阻之间,第九电容的另一端连接第二运算放大器的输出端,第二运算放大器的输出端作为滤波器的输出端。

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