[发明专利]一种片上波导损耗测量方法、测量装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201910780844.5 | 申请日： | 2019-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN112414673A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;余明斌 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G01M11/02 | 分类号： | G01M11/02 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 波导 损耗 测量方法 测量 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种片上波导损耗测量装置，包括：
形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中的光耦合器；
形成于所述顶层硅中的法布里-珀罗谐振腔，所述法布里-珀罗谐振腔的光入射端与所述光耦合器的光出射端在横向上对置；
光电探测器，其形成于所述顶层硅上；以及
加热器，其形成于所述法布里-珀罗谐振腔的预定距离处。
2.如权利要求1所述的片上波导损耗测量装置，其中，所述片上波导损耗测量装置还包括：
覆盖层，其覆盖所述光耦合器，所述法布里-珀罗谐振腔，所述光电探测器以及所述加热器。
3.如权利要求2所述的片上波导损耗测量装置，其中，
所述覆盖层具有开口，所述光耦合器位于所述开口下方。
4.如权利要求3所述的片上波导损耗测量装置，其中，
所述光耦合器为端面耦合器或光栅耦合器。
5.如权利要求3所述的片上波导损耗测量装置，其中，
所述光电探测器是锗(Ge)探测器或锗锡(GeSn)探测器。
6.一种片上波导损耗的测量方法，使用权利要求1-5中任一项所述的片上波导损耗测量装置对片上波导损耗进行测量，所述测量方法包括：
向光耦合器照射光；
调节加热器的偏置电压，测量不同偏置电压下所述光电探测器输出的光电流值；
根据所述光电流的功率，计算片上波导的损耗。
7.一种片上波导损耗测量装置的制造方法，包括：
在绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中形成光耦合器；
在所述顶层硅中形成法布里-珀罗谐振腔，所述法布里-珀罗谐振腔的光入射端与所述光耦合器的光出射端在横向上对置；
在所述顶层硅上形成光电探测器；以及
所述法布里-珀罗谐振腔的预定距离处形成加热器。
8.如权利要求7所述的片上波导损耗测量装置的制造方法，其中，所述制造方法还包括：
形成覆盖层，所述覆盖层覆盖所述光耦合器，所述法布里-珀罗谐振腔，所述光电探测器以及所述加热器。
9.如权利要求8所述的片上波导损耗测量装置的制造方法，其中，所述方法还包括：
在所述覆盖层中形成开口，所述光耦合器位于所述开口下方。
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