[发明专利]形成顶层导电层的方法

说明书

本发明提供一种形成顶层导电层的方法，包括：形成第一材料层；在所述第一材料层上形成金属层，所述金属层的厚度小于或者等于在所述金属层上形成第二材料层，所述第二材料层的厚度小于或者等于以及对所述第二材料层的表面执行灰化工艺，其中，所述第一材料层、所述金属层及所述第二材料层构成顶层导电层。其中，所述金属层的厚度小于或者等于所述第二材料层的厚度小于或者等于通过控制所述金属层及所述第二材料层的厚度，并增加一道灰化所述第二材料层的工艺，可以降低由所述第一材料层、所述金属层及所述第二材料层构成的所述顶层导电层的表面粗糙度，并提高顶层导电层的反射率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种形成顶层导电层的方法。

背景技术

在半导体工艺中，半导体结构上通常会形成一顶层导电层，所述顶层导电层用于后续形成顶层导电互连结构。半导体发光单元是半导体器件中的重要组成单元，半导体发光单元因其特殊的产品需要，对其顶层导电层的要求较高，具体是需要其顶层导电层的表面粗糙度小以及反射率高，所以顶层导电层的表面粗糙度及反射率是验证半导体发光单元的质量及良率的重要参数之一。

但是目前在半导体工艺中，半导体发光单元中的顶层导电层存在表面粗糙度过大、反射率低的缺陷。

发明内容

本发明的目的在于提供一种形成顶层导电层的方法，以解决顶层导电层的表面粗糙度过大且反射率低的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种形成顶层导电层的方法，包括：

形成第一材料层；

形成金属层，所述金属层覆盖所述第一材料层，所述金属层的厚度小于或者等于

形成第二材料层，所述第二材料层覆盖所述金属层，所述第二材料层的厚度小于或者等于

对所述第二材料层的表面执行灰化工艺，其中，所述第一材料层、所述金属层及所述第二材料层构成顶层导电层。

可选的，在所述形成顶层导电层的方法中，所述第一材料层的材质为氮化钛。

可选的，在所述形成顶层导电层的方法中，所述第一材料层的厚度大于或者等于

可选的，在所述形成顶层导电层的方法中，所述第二材料层的材质为氮化钛。

可选的，在所述形成顶层导电层的方法中，所述金属层的材质为铝。

可选的，在所述形成顶层导电层的方法中，采用溅射工艺形成所述金属层。

可选的，在所述形成顶层导电层的方法中，采用磁控溅射工艺形成所述金属层。

可选的，在所述形成顶层导电层的方法中，在对所述第二材料层的表面执行灰化工艺之后，还包括：

刻蚀所述顶层导电层以得到顶层导电互连结构。

可选的，在所述形成顶层导电层的方法中，所述灰化工艺为等离子体增强灰化工艺。

可选的，在所述形成顶层导电层的方法中，执行所述灰化工艺的时间介于25min～30min。

可选的，在所述形成顶层导电层的方法中，执行所述灰化工艺时，通入介于3000sccm～5000sccm流量的氧气参与灰化反应以去除所述第二材料层的表面残余的高聚物杂质。