[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体装置

权利要求书

1.一种横向扩散金属氧化物半导体装置，其特征在于，包括：

一基板；

一第一栅极结构，形成在该基板上，沿一第一方向延伸；

一漏极区，设置在该第一栅极结构的一第一侧的该基板中；

一源极区，设置在该第一栅极结构的一第二侧的该基板中，其中该第一侧与该第二侧相对；

一主体区，设置在该第一栅极结构的该第二侧的该基板中；以及

一第二栅极结构，设置在该源极区及该主体区之间，其中该第二栅极结构的一侧与该源极区的一边缘实质上切齐，且该第二栅极结构的另一侧与该主体区的一边缘实质上切齐；

该主体区及该源极区之间未设置隔离结构。

2.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体装置，其特征在于，更包括一主动区，其中该主动区包含该漏极区、该源极区、该主体区及该第二栅极结构，且其中该第一栅极结构沿该第一方向延伸并超出该主动区。

3.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体装置，其特征在于，更包括一体掺杂区，设置在该第一栅极结构的该第二侧的该基板中，其中该源极区及该主体区设置在该体掺杂区中，该体掺杂区的电性与该主体区的电性相同，且与该源极区的电性相反。

4.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体装置，其特征在于，更包括一阱区，设置在该第一栅极结构的该第一侧的该基板中，其中该漏极区设置在该阱区中，且该漏极区及该阱区的电性相同。

5.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体装置，其特征在于，该第一栅极结构围绕该源极区及该主体区。

6.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体装置，其特征在于，更包括另一个源极区，设置在该第一栅极结构的该第二侧的该基板中，其中该主体区设置在所述两个源极区之间。

7.如权利要求6所述的横向扩散金属氧化物半导体装置，其特征在于，更包括另一个第二栅极结构，所述两个第二栅极结构分别设置在该主体区的两侧，且分别设置在所述两个源极区及该主体区之间。

8.如权利要求7所述的横向扩散金属氧化物半导体装置，其特征在于，所述两个第二栅极结构及该主体区沿该第一方向排列。

9.如权利要求7所述的横向扩散金属氧化物半导体装置，其特征在于，所述两个第二栅极结构藉由该主体区而互相对称。