[发明专利]一种高频驱动系统有效

专利信息
申请号: 201910782174.0 申请日: 2019-08-23
公开(公告)号: CN110690893B 公开(公告)日: 2023-08-22
发明(设计)人: 邓端崇;王苗;阴波波;赫笑然;谭楚斌;许啟健;高云峰 申请(专利权)人: 大族激光科技产业集团股份有限公司
主分类号: H03L5/02 分类号: H03L5/02;H03K5/02;H02M3/06;H02M1/14
代理公司: 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 代理人: 李倩竹
地址: 518000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 高频 驱动 系统
【权利要求书】:

1.一种高频驱动系统,其特征在于:所述高频驱动系统包括:

电源模块电路,为调制信号整形电路及晶体振荡器发生电路提供电源;

晶体振荡器发生电路,提供高精度的高频信号;

调制信号整形电路,将初始调制信号转换成规则的调制信号;

调制信号上升沿调节电路,接收调制信号整形电路的信号,并输出上升沿调节后的信号;

后级放大电路,接收来自晶体振荡器发生电路的高频信号和调制信号上升沿调节电路的调制信号,输出放大后的射频信号;

所述电源模块电路连接所述晶体振荡器发生电路,所述电源模块电路连接所述调制信号整形电路,所述调制信号整形电路连接所述调制信号上升沿调节电路,所述晶体振荡器发生电路与所述调制信号上升沿调节电路共同连接所述后级放大电路;

所述调制信号上升沿调节电路包括第二MOS管、第二可变电阻、第三电阻、第四电阻、第八电容、第九电容及第十电容,所述第二可变电阻的一端连接所述电源模块电路的电压输出端,所述第二可变电阻的另一端连接所述第二MOS管的漏极,所述第二MOS管的源极接地,所述第二MOS管的栅极通过第四电阻连接所述调制信号整形电路,所述第二MOS管的栅极与所述第四电阻连接的中间接点通过所述第三电阻接地,所述第二MOS管的栅极与所述第四电阻连接的中间接点通过所述第十电容接地,所述第二可变电阻与所述第二MOS管的漏极连接的中间接点通过所述第九电容接地,所述第二可变电阻与所述第二MOS管的漏极连接的中间接点通过所述第八电容连接外部电路。

2.如权利要求1所述的高频驱动系统,其特征在于:所述电源模块电路包括稳压源、第四电容、第五电容、第六电容及第七电容,所述稳压源的电压输入端连接外部电源,所述稳压源的电压输入端通过第四电容、第五电容分别接地,所述稳压源的电压输出端通过第六电容、第七电容分别接地,所述稳压源接地端接地。

3.如权利要求2所述的高频驱动系统,其特征在于:所述第四电容及所述第六电容均为电解电容。

4.如权利要求2所述的高频驱动系统,其特征在于:所述稳压源包括LM7805稳压芯片。

5.如权利要求2所述的高频驱动系统,其特征在于:所述电源模块电路还包括电源指示电路,所述电源指示电路包括LED灯及第六电阻,所述电源模块电路电压输出端连接所述LED灯阳极,所述LED灯的阴极通过所述第六电阻接地。

6.如权利要求1所述的高频驱动系统,其特征在于:所述晶体振荡器发生电路包括晶振、第十四电容、第十五电容及第四可变电阻,所述晶振的电压输入端连接所述电源模块电路的电压输出端,所述晶振的电压输入端通过第十五电容接地,所述晶振接地端接地,所述晶振的高频信号输出端与第四可变电阻连接,所述第四可变电阻通过所述第十四电容连接外部电路。

7.如权利要求6所述的高频驱动系统,其特征在于:所述晶振为100MHZ有源晶振。

8.如权利要求1所述的高频驱动系统,其特征在于:所述调制信号整形电路包括非门芯片、第五电阻、第十一电容、第十二电容及第十三电容,所述非门芯片的信号输入端通过第五电阻接地,所述非门芯片的信号输入端通过第十一电容接地,所述非门芯片电压输入端通过第十二电容和第十三电容分别接地,所述非门芯片电压接入端连接所述电源模块电路的电压输出端,所述非门芯片信号输出端连接外部电路。

9.如权利要求8所述的高频驱动系统,其特征在于:所述非门芯片的型号为74LS14。

10.如权利要求1所述的高频驱动系统,其特征在于:所述第二MOS管为FDV301。

11.如权利要求1所述的高频驱动系统,其特征在于:所述第八电容为磁珠,规格为100M@5K。

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