[发明专利]可变电阻存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种可变电阻存储器件，包括：

沿第一方向延伸的多条第一导线；

沿第二方向延伸的多条第二导线；

多个存储单元，相对于自上而下的视图，每个存储单元在所述第一导线中的相应一条与所述第二导线中的相应一条之间的各交叉点处，每个存储单元包括夹在顶部电极和底部电极之间的可变电阻结构和开关元件；

第一电介质层，填充所述存储单元的所述开关元件之间的空间，

其中所述第一电介质层的顶表面设置在所述存储单元的所述顶部电极的底表面和顶表面之间。

2.根据权利要求1所述的可变电阻存储器件，还包括在所述第一电介质层上并且填充所述存储单元的所述顶部电极之间的空间的第二电介质层，

其中所述第一电介质层具有比所述第二电介质层的介电常数小的介电常数。

3.根据权利要求2所述的可变电阻存储器件，其中所述第一电介质层包含碳，和

其中所述第二电介质层不包含碳。

4.根据权利要求3所述的可变电阻存储器件，其中所述第一电介质层包括硅碳氧化物、硅氧碳氮化物和硅碳氮化物中的一种或更多种。

5.根据权利要求2所述的可变电阻存储器件，还包括在所述第二电介质层上并且填充所述第二导线之间的空间的第三电介质层，

其中所述第三电介质层具有比所述第一电介质层的所述介电常数大的介电常数。

6.根据权利要求2所述的可变电阻存储器件，其中每个所述顶部电极包括顺序堆叠的第一碳电极图案、金属图案和第二碳电极图案，和

其中所述第一电介质层的所述顶表面比所述金属图案的顶表面低。

7.根据权利要求6所述的可变电阻存储器件，其中所述第一电介质层的所述顶表面高于所述金属图案的底表面。

8.根据权利要求2所述的可变电阻存储器件，其中每个所述顶部电极包括碳电极图案和在所述碳电极图案上的金属图案。

9.根据权利要求8所述的可变电阻存储器件，其中所述金属图案的顶表面接触所述第二导线，和

其中所述第一电介质层的所述顶表面高于所述金属图案的底表面。

10.根据权利要求2所述的可变电阻存储器件，其中每个所述顶部电极包括碳电极图案，和

其中所述第一电介质层的所述顶表面高于所述碳电极图案的底表面并且低于所述碳电极图案的顶表面。

11.根据权利要求1所述的可变电阻存储器件，还包括在所述第一电介质层和所述开关元件之间的侧壁电介质层，

其中所述第一电介质层的介电常数小于所述侧壁电介质层的介电常数。

12.根据权利要求11所述的可变电阻存储器件，其中所述侧壁电介质层延伸到所述第一电介质层的底表面上。

13.根据权利要求11所述的可变电阻存储器件，其中所述侧壁电介质层包括硅氮化物和硅氧化物中的一种或多种。

14.根据权利要求11所述的可变电阻存储器件，还包括在所述第一电介质层上并且填充所述存储单元的所述顶部电极之间的空间的第二电介质层，

其中所述侧壁电介质层的所述介电常数大于所述第二电介质层的介电常数。