[发明专利]递送制剂的器件、设备及器件中针头阵列的制备方法

权利要求书

1.一种递送制剂的器件，其特征在于，包括：

第一基底、第二基底和至少两种长度不同的针头，所述针头为具有中空结构的空心针头；其中，

所述第一基底和所述第二基底之间设置有两个侧壁，以使所述第一基底、所述第二基底以及所述两个侧壁形成容纳制剂的第一腔室；

所述第二基底上开设有与所述第一腔室连通的第一通道；

所述针头设置在所述第二基底的远离所述第一基底的表面上，每个所述针头通过所述第一通道与所述第一腔室连通，以递送所述制剂；

其中，所述第一基底和/或所述第二基底的制作材料为柔性材料；

所述第一基底的靠近所述第二基底的表面上设置有凹陷部，所述凹陷部与所述第一腔室之间设置有弹性隔离膜，以使所述凹陷部与所述弹性隔离膜形成第二腔室；

所述第一基底上还开设有第二通道，所述第二通道的一端与所述第二腔室连通，所述第二通道的另一端设置有阀门，并通过所述阀门与外界连通，以将外界的气体导入到所述第二腔室中，以通过所述阀门控制由外界进入所述第二腔室的气体的流量；

其中，当外界力施加到所述器件时，所述第二通道的另一端的阀门打开，向所述凹陷部输入气体，所述凹陷部内的气体将所述弹性隔离膜顶起，以使所述制剂向所述第一通道方向流去；

所述递送制剂的器件还包括温控单元，所述温控单元包括温度传感器和制冷单元，所述温度传感器用于感测容纳于所述第一腔室的制剂的温度，所述制冷单元用于在所述制剂的温度超出预设范围时调节所述制剂的温度。

2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一通道包括多个子通道，每个所述子通道对应一种长度的针头。

3.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述凹陷部为多个。

4.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一基底开设有第三通道，所述第三通道的一端与所述第一腔室连通，以将由所述第三通道的另一端导入的所述制剂导入到所述第一腔室内。

5.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述针头内壁与所述第二基底的远离所述第一基底的表面互相垂直。

6.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述针头内壁的亲疏水性与所述制剂的亲疏水性相匹配。

7.如权利要求1至6中任一项所述的器件，其特征在于，每种所述针头的内部直径均不相同。

8.如权利要求1至6中任一项所述的器件，其特征在于，所述针头的内部直径范围为10μm至80μm。

9.如权利要求1至6中任一项所述的器件，其特征在于，各个所述针头之间的距离范围为100μm至500μm。

10.如权利要求1至6中任一项所述的器件，其特征在于，所述针头的长度范围为25μm至1000μm。

11.如权利要求1至6中任一项所述的器件，其特征在于，所述针头的尖端具有10°至25°的倾斜角。

12.一种递送制剂的设备，其特征在于，所述设备包括用于贮存制剂的贮存部和如权利要求1-11中任一项所述的递送制剂的器件，所述贮存部与所述器件连通，以将所述制剂提供给所述递送制剂的器件。

13.一种递送制剂的器件中针头阵列的制备方法，其特征在于，所述递送制剂的器件为权利要求1至11中任一项所述的递送制剂的器件，包括：

在基底片的第一侧和第二侧分别沉积保护膜；

通过第一预定构图工艺，在所述基底片的第一侧的保护膜上形成针头阵列的图案；

以针头阵列的图案为掩模，通过第二预定构图工艺，在所述基底片上形成针头阵列图形；

对去除保护膜的具有针头阵列图形的基底片进行离子轰击，并控制每个预定区域离子轰击强度和时间，以形成具有不同高度的针头阵列。

14.如权利要求13所述的制备方法，其特征在于，对去除保护膜的具有针头阵列图形的基底片进行离子轰击，并控制每个预定区域离子轰击强度和时间，以形成具有不同高度的针头阵列之后，还包括：

利用氧等离子体处理或化学表面处理针头阵列表面的亲疏水性程度，以使每个针头内壁的亲疏水性与制剂的亲疏水性相匹配。