[发明专利]一种钴镍双金属羟基亚磷酸盐棒状晶体阵列薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种钴镍双金属羟基亚磷酸盐棒状晶体阵列薄膜的制备方法，其特征在于，所述薄膜是直径为100纳米-1微米(Ni,Co)₁₁(HPO₃)₈(OH)₆棒状晶体以阵列形式致密排列形成的薄膜；该薄膜制备方法的步骤如下：

1）将六水合硝酸镍、六水合硝酸钴、次磷酸钠以摩尔浓度比1:1:2溶解于去离子水中，其中镍离子和钴离子的总摩尔浓度为0.10摩尔/升-0.20摩尔/升，搅拌得到均匀溶液；

2）在上述溶液中加入N,N-二甲基乙酰胺，体积与去离子水体积之比为1:1，继续搅拌得到均匀溶液；

3）将预清洁的活性炭纤维浸没于步骤2）的溶液中，浸泡5小时；

4）将步骤3）的溶液，连同活性炭纤维，共同在140℃~160℃条件下反应10 h~20 h；

5）将步骤4）反应结束后的反应釜自然冷却至常温，取出活性炭纤维，经无水乙醇、去离子水反复清洗三次，并在60℃干燥8 h，在活性炭纤维表面获得致密而均匀的钴镍双金属羟基亚磷酸盐棒状晶体阵列薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种钴镍双金属羟基亚磷酸盐棒状晶体阵列薄膜的制备方法，其特征在于：所述活性炭纤维，为天然棉纤维在氮气气氛下，1000℃热处理1h获得的活性炭纤维。

3.根据权利要求1或2所述的一种钴镍双金属羟基亚磷酸盐棒状晶体阵列薄膜的制备方法制备的薄膜，其特征在于：(Ni,Co)₁₁(HPO₃)₈(OH)₆棒状晶体直径为100纳米-1微米，以阵列形式致密排列形成薄膜。