[发明专利]一种双向可控硅静电保护器件

权利要求书

1.一种双向可控硅静电保护器件，其特征在于：包括P型衬底；

所述衬底中从左至右依次设有N型埋层、第一P+注入区和第六P+注入区；

所述N型埋层上方从左至右依次设有第一N型深阱、第一P阱、N阱、第二P阱和第二N型深阱；

所述第一P阱内从左至右依次设有第二P+注入区、第三P+注入区和第一N+注入区；

所述第二P阱内从左至右依次设有第二N+注入区、第四P+注入区和第五P+注入区；

所述第二P+注入区、第三P+注入区、第一N+注入区连接在一起并引出作为器件阳极；所述第一P+注入区、第二N+注入区、第四P+注入区、第五P+注入区、第六P+注入区连接在一起并引出作为器件阴极；

所述第二P+注入区、N阱和第一P阱构成第一PNP管，第一PNP管与由第三P+注入区、N阱、第一P阱构成的第二PNP管并联，所述第二N+注入区、第四P+注入区与N阱构成第一NPN管，第一NPN管与由第二N+注入区、第五P+注入区、N阱构成的第二NPN管并联。

2.根据权利要求1所述的双向可控硅静电保护器件，其特征在于：所述第一N型深阱结构和第二N型深阱在水平方向、N型埋层在垂直方向将所述N阱、第一P阱和第二P阱结构包围。

3.根据权利要求2所述的双向可控硅静电保护器件，其特征在于：所述第一N型深阱和第二N型深阱在水平方向形成环形结构，环形结构与下方的N型埋层形成隔离岛，所述隔离岛将所述第一P阱、第二P阱和N阱结构包围，从而与所述P型衬底隔离。

4.根据权利要求3所述的双向可控硅静电保护器件，其特征在于：所述第一P阱将第二P+注入区、第三P+注入区和第一N+注入区结构包围；所述第二P阱将第二N+注入区、第四P+注入区和第五P+注入区结构包围。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的双向可控硅静电保护器件，其特征在于：所述第一N型深阱、N阱和第二N型深阱浮空。

6.根据权利要求5所述的双向可控硅静电保护器件，其特征在于：所述第一P+注入区与第二P+注入区间设有第一场氧隔离区；所述第二P+注入区与第三P+注入区间设有第二场氧隔离区；所述第一N+注入区与第二N+注入区间设有第三场氧隔离区；所述第四P+注入区与第五P+注入区间设有第四场氧隔离区；所述第五P+注入区与第六P+注入区间有第五场氧隔离区。

7.根据权利要求5所述的双向可控硅静电保护器件，其特征在于：所有P+注入区或N+注入区的掺杂浓度与N型埋层的参杂浓度相近；所有P+注入区的掺杂浓度大于P阱的掺杂浓度，所有N+注入区的掺杂浓度大于N阱的掺杂浓度；所有P阱或N阱的掺杂浓度大于N型深阱的掺杂浓度。

8.根据权利要求5所述的双向可控硅静电保护器件，其特征在于：双向可控硅静电保护器件正常工作时，阳极和阴极的定义可根据静电事件的方向进行调换。

9.根据权利要求5所述的双向可控硅静电保护器件，其特征在于：从阳极到阴极，所述双向可控硅静电保护器件有两条静电泄放路径，第一条路径为所述第二P+注入区、第一P阱、N阱、第二P阱和第二N+注入区；第二路径为所述第三P+注入区、第一P阱、N阱、第二P阱和第二N+注入区；从阴极到阳极，所述双向可控硅静电保护器件有两条静电泄放路径，第一条路径为所述第五P+注入区、第二P阱、N阱、第一P阱和第一N+注入区；第二路径为所述第四P+注入区、第二P阱、N阱、第一P阱和第一N+注入区。