[发明专利]半导体器件

说明书

一种半导体器件可包括：衬底，包括在第一方向上延伸的有源图案；栅电极，横跨有源图案并在与第一方向交叉的第二方向上延伸；源极/漏极图案，在有源图案上并与栅电极的一侧相邻；有源接触件，在暴露源极/漏极图案的接触孔中；绝缘图案，填充设置有有源接触件的接触孔的剩余空间；第一通孔，在有源接触件上；以及第二通孔，在栅电极上。有源接触件可包括填充接触孔的下部的第一段以及从第一段垂直地突出的第二段。第一通孔连接到第二段。绝缘图案在第一方向上与第二通孔相邻。

相关申请的交叉引用

本申请要求2018年8月31日提交于韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2018-0103505的优先权，该申请的全部公开内容以引用方式并入本文中。

技术领域

本发明构思涉及半导体器件，更具体地，涉及一种包括场效应晶体管的半导体器件及其制造方法。

背景技术

半导体器件由于其小尺寸、多功能性和/或低制造成本而有益于电子行业。半导体器件可涵盖存储逻辑数据的半导体存储器件、处理逻辑数据的操作的半导体逻辑器件以及具有存储器和逻辑元件二者的混合半导体器件。随着电子行业的高级化发展，半导体器件越来越需要高集成度。例如，半导体器件越来越需要高可靠性、高速度和/或多功能性。半导体器件逐渐复杂化并集成，以满足这些要求的特性。

发明内容

本发明构思的一些示例实施例提供了一种具有增加的集成度和可靠性的半导体器件。

根据本发明构思的一些示例实施例，一种半导体器件可包括：衬底，其包括在第一方向上延伸的有源图案；栅电极，其在第二方向上横跨有源图案延伸，该第二方向与第一方向交叉；源极/漏极图案，其在有源图案上，使得源极/漏极图案与栅电极的一侧相邻；有源接触件，其包括第一段和第二段，有源接触件的第一段在接触孔的第一部分中，该接触孔暴露源极/漏极图案，有源接触件的第二段从第一段垂直地突出；绝缘图案，其填充接触孔的第二部分；第一通孔，其在有源接触件上并连接到有源接触件的第二段；以及第二通孔，其在栅电极上，使得绝缘图案在第一方向上与第二通孔相邻。

根据本发明构思的一些示例实施例，一种半导体器件可包括：衬底，其包括沿着第一方向平行延伸的多个有源图案；栅电极，其在第二方向上横跨有源图案延伸，该第二方向与第一方向交叉；源极/漏极图案，其在有源图案上，使得源极/漏极图案与栅电极的一侧相邻；有源接触件，其包括第一段和第二段，有源接触件的第一段在源极/漏极图案上，并且第二段从第一段垂直地突出；第一通孔，其在第二段上；以及第二通孔，其在栅电极上，使得第二通孔与有源图案中的至少一个垂直地交叠。

根据本发明构思的一些示例实施例，一种半导体器件可包括：衬底，其包括沿着第一方向平行延伸的多个有源图案；栅电极，其在第二方向上横跨有源图案延伸，该第二方向与第一方向交叉；源极/漏极图案，其在有源图案上，使得源极/漏极图案与栅电极的一侧相邻；以及有源接触件，其包括第一段和第二段，有源接触件的第一段在源极/漏极图案上，并且有源接触件的第二段从第一段垂直地突出，有源接触件成形为使得有源接触件的第二段在第二方向上的宽度朝着衬底增加。

附图说明

图1示出了展示根据本发明构思的一些示例实施例的半导体器件的平面图。

图2A、图2B和图2C示出了分别沿图1的线A-A’、线B-B’和线C-C’截取的横截面图。

图3示出了展示根据本发明构思的一些示例实施例的半导体器件的栅电极和一对有源接触件的简化透视图。

图4、图6、图8、图10、图12和图14示出了展示根据本发明构思的一些示例实施例的半导体器件的制造方法的平面图。

图5、图7A、图9A、图11A、图13A和图15A分别示出了沿图4、图6、图8、图10、图12和图14的线A-A’截取的横截面图。