[发明专利]具有隔离门板的退火腔在审
申请号: | 201910784396.6 | 申请日: | 2019-08-23 |
公开(公告)号: | CN112420547A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 牟汉清;杨宏超;王玉玺;金一诺;王坚;王晖 | 申请(专利权)人: | 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆嘉 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 隔离 门板 退火 | ||
本发明揭示了一种退火腔,包括进气装置与排气装置,排气装置包括晶圆输送口和能移动的隔离门板,隔离门板能打开或覆盖整个晶圆输送口,排气装置还包括进气条与排气板,排气板位于排气装置底面,进气条位于排气板上方,排气板上均匀分布有多个排气孔。本发明所提出的一种退火腔利用在退火腔的晶圆输送口安装能移动的隔离门板,并辅助进气条形成氮封,隔绝外部空气进入退火腔内,解决了退火过程中外部空气对退火效果的影响,保持退火腔内气流的稳定性,从而改善退火效果。
技术领域
本发明涉及电化学沉积技术领域,更具体地,涉及在晶圆退火过程中,一种退火腔。
背景技术
在现有的超大规模集成电路制造中,通常使用电化学镀铜工艺来实现芯片内部的金属互联线,然而在电化学镀铜以后,需进一步进行退火工艺使得电镀上去的金属铜层达到稳定的物理特性,消除残余应力,稳定尺寸,细化晶粒,调整组织,形成稳定的晶格结构。
在湿法镀铜后,晶圆表面容易产生氧化铜,而在CMP抛光的加工过程中氧化铜与铜的抛光速率有着显著的差异,而且分布在晶圆表面的氧化铜较难抛除,因此在退火加工中利用还原性工艺气体将晶圆表面的氧化铜还原成铜显得尤其重要。由于镀铜工艺的不断提高,线宽不断变窄,从而对在晶圆退火过程中气流的控制要求越来越高。空气对冷盘和热盘气流均匀分布的影响,以及在晶圆冷却的过程中,空气中的氧气与混合工艺气体中的氢气反应产生的热,都会对晶圆的生产制造产生很大的影响。
发明内容
因此,本发明的目的是提供一种退火腔,减少空气对晶圆退火加工时的影响,进一步优化退火腔内气体的均匀分布,改善退火质量。
为了实现上述目的,本发明所提供的一种退火腔,包括进气装置与排气装置,所述排气装置包括晶圆输送口和能移动的隔离门板,所述隔离门板能打开或覆盖整个晶圆输送口。
优选地,所述隔离门板由驱动装置驱动。
优选地,所述退火腔安装有信号探测器。
优选地,所述排气装置还包括进气条与排气板,所述排气板位于排气装置底面,进气条位于排气板上方。
优选地,所述排气板上均匀分布有多个排气孔。
优选地,所述进气条长度与所述排气板上多个排气孔的分布长度相同。
优选地,所述进气条长度与所述晶圆输送口长度相同。
优选地,所述进气条与外部氮气输送装置相连。
本发明所提出的一种退火腔利用在退火腔的晶圆输送口安装能移动的隔离门板,并辅助进气条形成氮封,隔绝外部空气进入退火腔内,解决了退火过程中外部空气对退火效果的影响,保持退火腔内气流的稳定性,从而改善退火效果。
附图说明
图1揭示了根据本发明的一个实施例的退火腔的示意图。
图2揭示了根据本发明的一个实施例的排气装置的正视图。
图3揭示了根据本发明的一个实施例的进气条的示意图。
图4揭示了根据本发明的一个实施例的排气板的顶视图。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、构造特征、所达成目的及效果,下面将结合实施例并配合图式予以详细说明。
参考图1,根据一个实施例,退火腔包括排气装置100、进气装置101、冷板102及热板103。进气装置101安装于退火腔的一侧,排气装置100安装在退火腔的另一侧,与进气装置101相对。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造