[发明专利]半导体器件

说明书

提供了一种半导体器件。半导体器件包括衬底、绝缘膜和光敏膜。衬底包括半导体芯片区域和沿着半导体芯片区域的边缘设置的划片槽区域。绝缘膜包括设置在半导体芯片区域上的第一部分、设置在划片槽区域上并与第一部分连接的第二部分、以及设置在划片槽区域上并且在第一方向上从第二部分突出的第三部分。光敏膜设置在绝缘膜上，并且具有暴露在绝缘膜的第二部分上的侧壁。第三部分的在与第一方向垂直的第二方向上的第一宽度随着与半导体芯片区域的距离增加而减小。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年8月30日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0102533的优先权，该公开的全部内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本公开涉及半导体器件。

背景技术

近来，半导体器件在小型化和高性能方面进步。因此，在半导体器件中可以使用低k绝缘膜。

当半导体器件被切断以用于半导体器件的封装时，可以向半导体器件施加物理应力。同时，当在半导体器件中使用低k绝缘膜时，可能发生设置在低k绝缘膜下面的导线的剥离现象。

发明内容

一方面是提供一种半导体器件，该半导体器件具有增强的可靠性，这是因为在沿着划片槽(scribe line)区域上的划片槽的绝缘膜内形成具有切割边缘的开口区域，其防止半导体芯片的剥离现象和裂纹故障。

根据本公开的示例性实施例，提供了一种半导体器件，包括：衬底，其包括半导体芯片区域和沿着所述半导体芯片区域的边缘设置的划片槽区域；绝缘膜，其包括设置在所述半导体芯片区域上的第一部分、设置在所述划片槽区域上并且与所述第一部分连接的第二部分、以及设置在划片槽区域上并且在第一方向上从第二部分突出的第三部分；以及光敏膜，其设置在绝缘膜上并且具有暴露在第二部分上的暴露侧壁，其中，第三部分在与第一方向垂直的第二方向上的第一宽度随着与半导体芯片区域的距离增加而减小。

根据本公开的示例性实施例，提供了一种半导体器件，包括：衬底，其包括半导体芯片区域和沿着所述半导体芯片区域的边缘设置的划片槽区域；绝缘膜，其包括设置在所述半导体芯片区域上的第一部分、设置在所述划片槽区域上并且与所述第一部分连接的第二部分、以及设置在所述划片槽区域上且在第一方向上从所述第二部分突出的第三部分；第一开口区域，其由所述划片槽区域上的所述第二部分的第一侧壁和所述第三部分的第二侧壁限定；光敏膜，其设置在绝缘膜上并且具有暴露在第二部分上的暴露侧壁；以及第二开口区域，其由绝缘膜和在所述第一开口区域上的光敏膜的暴露侧壁限定，其中，第一开口区域的在与第一方向垂直的第二方向上的第一宽度随着与半导体芯片区域的距离增加而增加。

根据本公开的示例性实施例，提供了一种半导体器件，包括：衬底，其包括半导体芯片区域和沿着所述半导体芯片区域的边缘设置的划片槽区域；绝缘膜，其包括设置在所述半导体芯片区域上的第一部分、设置在所述划片槽区域上并且与所述第一部分连接的第二部分、以及设置在所述划片槽区域上且在第一方向上从所述第二部分突出的第三部分；光敏膜，其包括设置在所述绝缘膜的第一部分上的第四部分、设置在所述绝缘膜的所述第二部分上的第五部分、以及在第一方向上从所述第五部分突出的第六部分，其中，第三部分在与第一方向垂直的第二方向上的第一宽度随着与半导体芯片区域的距离增加而减小。

本公开旨在解决的目的不限于上述那些，并且基于以下提供的描述，本领域技术人员可以清楚地理解上面未提及的其他目的。

附图说明

通过参考附图来详细描述以上和其他方面的示例性实施例，以上和其他方面对本领域一般技术人员来说将变得更显而易见，在附图中：

图1是提供为说明根据一些示例性实施例的半导体器件的顶视图；

图2是图1的区域A的放大图；