[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底上具有鳍部结构，所述鳍部结构包括沟道区、源区和漏区，所述沟道区位于所述源区和所述漏区之间，所述沟道区包括第一纳米线和位于第一纳米线上的第二纳米线，所述第一纳米线内具有第一阈值电压调节离子，所述第二纳米线内具有第二阈值电压调节离子，所述第一纳米线和衬底以及源区和漏区之间具有第一开口，所述第二纳米线和第一纳米线以及源区和漏区之间具有第二开口；

位于所述第一开口内且横跨所述第一纳米线的第一栅极结构，所述第一栅极结构环绕所述第一纳米线；

位于所述第二开口内且横跨所述第二纳米线的第二栅极结构，所述第二栅极结构环绕所述第二纳米线。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一阈值电压调节离子和所述第二阈值电压调节离子的类型相反；所述半导体结构为N型时，所述第一阈值电压调节离子类型为N型，所述第二阈值电压调节离子类型为P型；所述半导体结构为P型时，所述第一阈值电压调节离子为P型，所述第二阈值电压调节离子类型为N型；所述第一阈值电压调节离子浓度范围为5.0E17原子每立方厘米～7.0E19原子每立方厘米；所述第二阈值电压调节离子浓度范围为0～4.0E19原子每立方厘米。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一阈值电压调节离子和所述第二阈值电压调节离子的类型相同；所述半导体结构为N型时，所述第一阈值电压调节离子类型和所述第二阈值电压调节离子类型为N型；所述半导体结构为P型时，所述第一阈值电压调节离子类型和所述第二阈值电压调节离子类型为P型；所述第一阈值电压调节离子的浓度大于所述第二阈值电压调节离子的浓度；所述第一阈值电压调节离子的浓度范围为1.5E18原子每立方厘米～1.0E20原子每立方厘米；所述第二阈值电压调节离子的浓度范围为0～8.0E19原子每立方厘米。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一栅极结构还包括：第一功函数层；所述第二栅极结构还包括：第二功函数层，所述第二功函数层与所述第一功函数层不同。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一功函数层和所述第二功函数层的类型相同；所述半导体结构为N型时，所述第一功函数层的材料和所述第二功函数层的材料为N型功函数材料；所述半导体结构为P型时，所述第一功函数层的材料和所述第二功函数层的材料为P型功函数材料；所述P型功函数材料包括氮化钽或氮化铝；所述N型功函数材料包括钛铝；所述第一功函数层的厚度大于所述第二功函数层；所述第一功函数层的厚度范围为25埃～120埃；所述第二功函数层的厚度范围为0～100埃。

6.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一功函数层和所述第二功函数层的类型相反；所述半导体结构为N型时，所述第一功函数层的材料为N型功函数材料，所述第二功函数层的材料为P型功函数材料；所述半导体结构为P型时，所述第二功函数层的材料为P型功函数材料，所述第二功函数层的材料为N型功函数材料；所述P型功函数材料包括氮化钽或氮化铝；所述N型功函数材料包括钛铝；所述第一功函数层的厚度范围为30埃～130埃；所述第二功函数层的厚度范围为0～20埃。

7.一种形成如权利要求1至6任一项半导体结构的方法。

8.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底上具有鳍部结构，所述鳍部结构包括沟道区、源区和漏区，所述沟道区位于所述源区和所述漏区之间，所述沟道区包括第三纳米线和位于第三纳米线上的第四纳米线，所述第三纳米线和衬底以及源区和漏区之间具有第三开口，所述第四纳米线和第三纳米线以及源区和漏区之间具有第四开口；

位于所述第三开口内且横跨所述第三纳米线的第三栅极结构，所述第三栅极结构环绕所述第三纳米线，所述第三栅极结构包括第三功函数层；

位于所述第四开口内且横跨所述第四纳米线的第四栅极结构，所述第四栅极结构环绕所述第四纳米线，所述第四栅极结构包括第四功函数层，所述第四功函数层与所述第三功函数层不同。