[发明专利]一种柔性氧化铟锌薄膜晶体管及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201910785502.2 申请日: 2019-08-23
公开(公告)号: CN110571277A 公开(公告)日: 2019-12-13
发明(设计)人: 秦国轩;刘家立 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/49
代理公司: 12201 天津市北洋有限责任专利代理事务所 代理人: 琪琛
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 氧化物薄膜晶体管 柔性金属 沉积 制备 光电器件领域 柔性集成电路 柔性显示设备 抗机械冲击 可弯曲折叠 氧化铝薄膜 栅极绝缘层 二氧化硅 工作频率 器件钝化 阳极氧化 氧化铟锡 氧化铟锌 源漏电极 铝薄膜 能力强 轻薄 晶体管 衬底 穿戴 薄膜 智能 应用
【权利要求书】:

1.一种柔性氧化铟锌薄膜晶体管,其特征在于,结构从下到上依次为:柔性衬底、作为栅极的铝薄膜、作为栅绝缘层的通过阳极氧化法形成的氧化铝膜、氧化铟锌薄膜和铟锡氧化物漏源电极,最上面覆盖有一层二氧化硅作为器件钝化层。

2.根据权利要求1所述柔性氧化铟锌薄膜晶体管,其特征在于,所述铝薄膜厚度为350nm。

3.根据权利要求1所述柔性氧化铟锌薄膜晶体管,其特征在于,所述氧化铝膜厚度为150nm。

4.根据权利要求1所述柔性氧化铟锌薄膜晶体管,其特征在于,所述氧化铟锌薄膜厚度为30nm。

5.根据权利要求1所述柔性氧化铟锌薄膜晶体管,其特征在于,所述氧化铟锡薄膜厚度为250nm。

6.根据权利要求1所述柔性氧化铟锌薄膜晶体管,其特征在于,所述二氧化硅厚度为200nm。

7.根据权利要求1所述柔性氧化铟锌薄膜晶体管,其特征在于,所述柔性衬底包括聚对苯二甲酸乙二醇PET塑料基板,PET塑料基板上表面有一层基于环氧SU8树脂的光刻胶粘合层。

8.一种柔性氧化铟锌薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,PET衬底上通过磁控溅射的方法沉积铝薄膜和通过阳极氧化形成的氧化铝薄膜分别作为栅极和栅极绝缘层,上面沉积有氧化铟锌薄膜,通过lift-off的方法制备氧化铟锡(ITO)源漏电极,最后沉积二氧化硅作为器件钝化层。

9.根据权利要求8所述柔性氧化铟锌薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,具体包括以下步骤:

a.选用200纳米厚的PET柔性材料作为衬底,首先将PET放进盛有丙酮溶液的烧杯中,然后在超声波清洗器中清洗5分钟,随后使用异丙醇溶液将用丙酮清洗过的PET在超声波清洗器中将丙酮清洗干净,得到PET衬底;

b.在PET衬底上通过磁控溅射的方法沉积350nm的铝薄膜,通过湿法刻蚀形成栅极;

c.在酒石酸铵和乙二醇构成的电解液中采用阳极氧化在栅极表面形成一层厚度为150nm的氧化铝栅绝缘层,其中阳极氧化时间为1.2小时;

d.在室温下使用氧化铟(InO)和氧化锌(ZnO)靶材通过共溅射的方法沉积一层30nm的氧化铟锌(IZO)薄膜,其中铟和锌的比例为1:1,两个靶材的功率均为300W,溅射气体中氧气和氩气的流量比为50:6,溅射功率为120W;

e.在基板上沉积一层250nm的氧化铟锡薄膜,通过lift-off的方法图案化作为晶体管的漏源电极,定义沟道宽长比为100:30微米;

f.利用等离子增强化学气相沉积法(PECVD)沉积200nm的二氧化硅作为器件钝化层。在300度的空气气氛下退火20min。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910785502.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top