[发明专利]显示基板及其制造方法、显示装置

说明书

本申请公开一种显示基板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。显示基板包括：衬底基板，以及，位于衬底基板上的像素单元，该像素单元包括存储电容，该存储电容的极板为透明极板。由于存储电容的极板为透明极板，因此存储电容可以透光，像素单元的透光面积较大。本申请有助于提高显示基板的开口率。本申请用于显示基板制造。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。

背景技术

随着显示行业的不断发展，用户对显示基板的要求越来越高，高品质的显示基板更加受到用户的青睐。

目前，显示基板包括由数据线和栅线交叉限定的多个像素单元，每个像素单元包括像素电极以及与该像素电极电连接的薄膜晶体管(英文：Thin Film Transistor；简称：TFT)和存储电容，TFT用于在扫描阶段向像素电极施加电信号，存储电容用于在非扫描阶段维持像素电极的电位。其中，存储电容的极板通常采用非透光材料制成。

但是，存储电容在像素单元内占有一定面积，且存储电容无法透光，因此像素单元的透光区域的面积较小，显示基板的开口率较低。

发明内容

本申请提供一种显示基板及其制造方法、显示装置，有助于提高显示基板的开口率。所述技术方案如下：

一方面，提供一种显示基板，所述显示基板包括：

衬底基板，以及，位于所述衬底基板上的像素单元，所述像素单元包括存储电容，所述存储电容的极板为透明极板。

可选地，所述存储电容包括相对分布的第一极板和第二极板，所述第一极板的材料包括金属氧化物，所述第二极板的材料包括导体化的半导体材料。

可选地，所述像素单元还包括：遮光层、有源层和源漏极图形，所述遮光层位于所述衬底基板与所述有源层之间，所述有源层在所述衬底基板上的正投影位于所述遮光层在所述衬底基板上的正投影内；

所述第一极板包括电连接的第一子极板和第二子极板，所述第一子极板与所述遮光层同层分布，所述第二子极板与所述源漏极图形同层分布，所述第二极板与所述有源层同层分布。

可选地，所述源漏极图形为透明图形。

可选地，所述遮光层与所述源漏极图形之间具有绝缘层，所述绝缘层上具有连接孔，所述第二子极板通过所述连接孔与所述第一子极板电连接。

可选地，所述像素单元还包括：缓冲层、栅绝缘层、栅极和层间介质层，所述缓冲层位于所述遮光层与所述有源层之间，所述有源层、所述栅绝缘层、所述栅极、所述层间介质层和所述源漏极图形构成薄膜晶体管；

所述遮光层与所述源漏极图形之间的所述绝缘层包括所述缓冲层和所述层间介质层。

可选地，所述有源层、所述栅绝缘层、所述栅极、所述层间介质层和所述源漏极图形沿远离所述衬底基板的方向分布，所述源漏极图形包括源极和漏极，所述栅绝缘层在所述衬底基板上的正投影与所述栅极在所述衬底基板上的正投影重合，所述层间介质层具有源极过孔和漏极过孔，所述源极通过所述源极过孔与所述有源层接触，所述漏极通过所述漏极过孔与所述有源层接触；

所述像素单元还包括：位于所述源漏极图形远离所述衬底基板一侧的钝化层，所述钝化层具有像素过孔；以及，

位于所述钝化层远离所述衬底基板一侧的像素电极，所述像素电极通过所述像素过孔与所述漏极电连接。

另一方面，提供一种显示基板的制造方法，所述方法包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上形成像素单元，所述像素单元包括存储电容，所述存储电容的极板为透明极板。