[发明专利]一种红外光敏三极管芯片

权利要求书

1.一种红外光敏三极管芯片，其特征在于，包括背金层、外延片、基区、发射区、氧化层、氮化硅膜和发射极；所述背金层形成的集电极由内至外包括Ti、Ni、Ag、Sn；所述外延片的型号为N<100>，所述外延片包括覆盖在所述背金层上的外延衬底和覆盖在所述外延衬底的外延层，所述外延层的厚度为30-40μm，电阻率为10-16Ω·cm，所述外延衬底为N型CZ硅单晶，所述外延衬底电阻率为0.005-0.015Ω·cm，所述基区由硼注入工艺形成在所述外延衬底上，所述发射区在所述基区内光刻、刻蚀、磷预淀积、氧化、扩散形成；所述氧化层由SiO₂形成，覆盖在所述外延层上，所述氧化层的厚度为所述氮化硅膜覆盖在所述氧化层上，所述氮化硅膜的厚度为折射率为1.9-2.1，所述发射区上经过溅射、反刻、刻蚀、铝膜退火成型由铝电极构成的发射极，所述发射极穿透所述氧化层和所述氮化硅膜向外。

2.根据权利要求1所述的一种红外光敏三极管芯片，其特征在于，所述基区注入工艺在退火前进行LPCVD-SiO₂。

3.根据权利要求1所述的一种红外光敏三极管芯片，其特征在于，所述氮化硅膜由PECVD-SiN工艺形成。

4.根据权利要求1所述的一种红外光敏三极管芯片，其特征在于，所述Ti为所述Ni为所述Ag为所述Sn为

5.根据权利要求1所述的一种红外光敏三极管芯片，其特征在于，所述基区二氧化硅的沉积厚度为

6.根据权利要求1所述的一种红外光敏三极管芯片，其特征在于，所述发射区的二氧化硅生长厚度为

7.根据权利要求1所述的一种红外光敏三极管芯片，其特征在于，所述外延层外围设有等位环。