[发明专利]单面内氧化银氧化锡氧化铟电接触材料及其制备方法

权利要求书

1.一种单面内氧化银氧化锡氧化铟电接触材料，其特征在于：包括银氧化锡氧化铟材料本体，所述银氧化锡氧化铟材料本体的一面为自带焊料的焊接面，所述焊接面由AgSn层或AgZn层组成，所述银氧化锡氧化铟材料本体的另一面为氧化面，所述氧化面为AgSnO₂In₂O₃层。

2.根据权利要求1所述的单面内氧化银氧化锡氧化铟电接触材料，其特征在于：所述AgSn或AgZn层，其厚度占总厚度比例为8～25％；

所述AgSn层成分：Sn含量在15wt％～25wt％，余量为Ag；

所述AgZn层成分：Zn含量在15wt％～30wt％，余量为Ag。

3.根据权利要求1或2所述的单面内氧化银氧化锡氧化铟电接触材料，其特征在于：所述AgSn层或AgZn层，其中：

在所述AgSn层上有一层厚度≤20μm的SnO₂层；

在所述AgZn层上有一层厚度≤20μm的ZnO层。

4.一种权利要求1-3任一项所述单面内氧化银氧化锡氧化铟电接触材料的制备方法，其特征在于：包括：

S1，将AgSnIn合金锭子加工成AgSnIn料带或板材；

S2，将所述AgSnIn料带或板材与AgZn带或者AgSn带进行复合加工，其中第一层为AgSnIn层，第二层为焊接面AgSn层或AgZn层；

S3，将S3复合后料带或板材进行扩散退火、冷轧；

S4，将冷轧后的料带或板材进行内氧化，得到自带焊料、单面内氧化银氧化锡氧化铟电接触材料。

5.根据权利要求4所述的单面内氧化银氧化锡氧化铟电接触材料的制备方法，其特征在于：S1中，所述合金锭子采用挤压或锻造加工成AgSnIn料带或板材，其中：

所述挤压，温度为550度～750度，加热过程中通N₂或木炭保护；

所述锻造，锻打温度为550度～750度，加热过程通N₂或木炭保护。

6.根据权利要求4所述的单面内氧化银氧化锡氧化铟电接触材料的制备方法，其特征在于：S2中，将AgSnIn料带或板材进行两层复合加工，采用冷复合或热复合，其中：

所述冷复合，变形量在60％～80％之间；

所述热复合，变形量在40％～70％之间，温度控制在500度～750度之间，H₂、N2或Ar保护；

所述AgSn层成分：Ag含量在75wt％～85wt％，余量为Sn；

所述AgZn层成分：Ag含量在70wt％～85wt％，余量为Zn。

7.根据权利要求4所述的单面内氧化银氧化锡氧化铟电接触材料的制备方法，其特征在于：S3中，所述扩散退火，其中温度在450度～750度之间，通H₂、N₂或Ar气体保护。

8.根据权利要求4所述的单面内氧化银氧化锡氧化铟电接触材料的制备方法，其特征在于：S3中，所述冷轧，其中单道变形量控制在5％～30％之间。

9.根据权利要求4所述的单面内氧化银氧化锡氧化铟电接触材料的制备方法，其特征在于：S4中，所述内氧化，其中氧化温度550度～720度之间，氧压控制在0.8Mpa～2Mpa之间。

10.根据权利要求4-9任一项所述的单面内氧化银氧化锡氧化铟电接触材料的制备方法，其特征在于：还包括以下一种或两种特征：

-在S1之后，S2复合加工之前，将AgSnIn料带或板材表面进行打磨和抛光处理；

-在S4之后，进一步包括：

将内氧化后料带或板材，焊接进行抛磨，获得新鲜的AgSn或者AgZn面；

将抛磨后料带到进行冲制和清洗，形成即时使用的自带焊料、单面内氧化银氧化锡氧化铟电接触材料。