[发明专利]一种无线充电方法及电子设备在审

专利信息
申请号: 201910786606.5 申请日: 2019-08-23
公开(公告)号: CN110649719A 公开(公告)日: 2020-01-03
发明(设计)人: 何泽瑞;于东洋;周佐华;张政学;闪超星 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: H02J50/90 分类号: H02J50/90;H02J50/10;H02J7/00
代理公司: 11274 北京中博世达专利商标代理有限公司 代理人: 申健
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 充电线圈 电子设备 位移偏差 无线充电 位置处 磁场 电子设备充电 电子设备领域 无线充电线圈 信号强度确定 移动电子设备 充电设备 提示用户 准确度 移动 对位 申请
【权利要求书】:

1.一种无线充电方法,其特征在于,应用于电子设备,所述电子设备包括第一充电线圈;所述方法包括:

在使用设置有第二充电线圈的充电设备通过所述第一充电线圈为所述电子设备充电时,所述电子设备确定所述第一充电线圈的信号强度signal strength,所述信号强度用于表征所述第一充电线圈在所述第二充电线圈产生的磁场中的磁场强度;

所述电子设备根据所述信号强度确定所述第一充电线圈相对于所述第二充电线圈的位移偏差;

所述电子设备获取所述第一充电线圈上N个位置处的磁场强度,N为大于或等于3的整数;

所述电子设备根据所述第一充电线圈上N个位置处的磁场强度,确定所述第一充电线圈相对于所述第二充电线圈的位移方向;

所述电子设备根据所述位移偏差和所述位移方向,提示用户移动所述电子设备,移动的方向为所述位移方向所指示的方向,移动的距离为所述位移偏差所指示的距离。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述电子设备根据所述第一充电线圈上N个位置处的磁场强度,确定所述第一充电线圈相对于所述第二充电线圈的位移方向,包括:

所述电子设备根据所述第一充电线圈上所述N个位置处的磁场强度的大小关系,确定所述第一充电线圈相对于所述第二充电线圈的位移方向;

其中,所述位移方向是由所述第一充电线圈的几何中心指向远离所述N个位置中磁场强度最小的位置,且靠近所述N个位置中磁场强度最大的位置的方向。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,当N为3时,所述电子设备获取所述第一充电线圈上N个位置处的磁场强度,包括:

所述电子设备获取所述第一充电线圈上第一位置P1的第一磁场强度B1,第二位置P2的第二磁场强度B2和第三位置P3的第三磁场强度B3;

其中,如果所述B1小于所述B2,且所述B1小于所述B3,则所述位移方向具体为由所述第一充电线圈的几何中心P0指向第一区域的方向,所述第一区域是由所述P2,所述P3和所述P0所构成的区域;

如果所述B2小于所述B3,且所述B2小于所述B1,则所述位移方向具体为由所述第一充电线圈的几何中心P0指向第二区域的方向,所述第二区域是由所述P1,所述P3和所述P0所构成的区域;

如果所述B3小于所述B1,且所述B3小于所述B2,则所述位移方向具体为由所述第一充电线圈的几何中心P0指向第三区域的方向,所述第三区域是由所述P1,所述P1和所述P0所构成的区域。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述第一充电线圈的所述P1、所述P2和所述P3处分别设置有霍尔传感器;

所述电子设备获取所述第一充电线圈上第一位置P1的第一磁场强度B1,第二位置P2的第二磁场强度B2和第三位置P3的第三磁场强度B3,包括:

所述电子设备通过所述P1处设置的霍尔传感器获取所述B1,通过所述P2处设置的霍尔传感器获取所述B2,通过所述P3处设置的霍尔传感器获取所述B3。

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