[发明专利]用于形成竖向延伸的存储器单元串的阵列的方法

说明书

一种用于形成竖向延伸的存储器单元串的阵列的方法包括形成包括竖直交替的绝缘层和字线层的下部堆叠。下部沟道开口在下部堆叠中。覆盖下部沟道开口中的个别者的桥接件经外延生长。下部空隙空间在个别下部沟道开口中在桥接件中的个别者之下。上部堆叠形成于下部堆叠上方。上部堆叠包括竖直交替的绝缘层和字线层。上部沟道开口形成于上部堆叠中形成到个别桥接件以单独地形成包括个别下部沟道开口和上部沟道开口中的个别者中的一个的互连沟道开口。互连沟道开口单独地具有跨越互连沟道开口的个别桥接件中的一个。穿透个别桥接件以露出下部空隙空间中的个别者。晶体管沟道材料竖向地沿着上部堆叠中的竖直交替的层形成于互连沟道开口的上部部分中。

技术领域

本文中所公开的实施例涉及用于形成竖向延伸的存储器单元串的阵列的方法、形成竖向延伸的存储器单元串的阵列的方法，和形成竖直的存储器单元串的阵列的方法。

背景技术

存储器是一种类型的集成电路且在计算机系统中用于存储数据。存储器可制造成个别存储器单元的一或多个阵列。可使用数字线(其也可被称作位线、数据线或感测线)和存取线(其也可被称作字线)向存储器单元进行写入或从存储器单元进行读取。感测线可使存储器单元沿着阵列的列以导电方式互连，且存取线可使存储器单元沿着阵列的行以导电方式互连。每个存储器单元可通过感测线与存取线的组合唯一地寻址。

存储器单元可以是易失性的、半易失性的或非易失性的。非易失性存储器单元可在不通电的情况下将数据存储很长一段时间。非易失性存储器通常被指定为具有至少约10年保持时间的存储器。易失性存储器会消散，且因此经刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更短保持时间。无论如何，存储器单元被配置成以至少两个不同可选择状态保持或存储存储器。在二进制系统中，所述状态被视作“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可被配置成存储多于两个位或状态的信息。

场效应晶体管是一种类型的可用于存储器单元中的电子组件。这些晶体管包括一对导电源极/漏极区，所述一对导电源极/漏极区在其间具有半导电沟道区。导电栅极邻近于沟道区且通过薄的栅极绝缘体与沟道区分离。向栅极施加合适的电压允许电流通过沟道区从源极/漏极区中的一个区流动到另一个区。当从栅极去除电压时，大大地防止了电流流动通过沟道区。场效应晶体管还可包含额外结构，例如，作为栅极绝缘体与导电栅极之间的栅极构造的部分的可逆可编程电荷存储区。

快闪存储器是一种类型的存储器，且大量用于现代计算机和装置中。举例来说，现代个人计算机可将BIOS存储在快闪存储器芯片上。作为另一实例，越来越常见的是，计算机和其它装置利用呈固态驱动器的快闪存储器以替代常规硬盘驱动器。作为又一实例，快闪存储器在无线电子装置中普及，这是因为快闪存储器使得制造商能够在新的通信协议变得标准化时支持所述新的通信协议，且使得制造商能够提供针对增强特征远程升级装置的能力。

NAND可以是集成式快闪存储器的基本架构。NAND单元单位包括与存储器单元的串行合并串联耦合的至少一个选择装置(所述串行合并通常被称作NAND串)。NAND架构可按三维布置配置，其包括竖直堆叠的存储器单元，所述竖直堆叠的存储器单元单独地包括可逆可编程竖直晶体管。控制电路系统或其它电路系统可形成于竖直堆叠的存储器单元下方。

发明内容

本公开的一个方面涉及一种用于形成竖向延伸的存储器单元串的阵列的方法，其包括：形成包括竖直交替的绝缘层和字线层的下部堆叠，下部沟道开口处于所述下部堆叠中；使覆盖个别下部沟道开口的桥接件外延生长，下部空隙空间在所述个别下部沟道开口中在个别桥接件之下；在所述下部堆叠上方形成上部堆叠，所述上部堆叠包括竖直交替的绝缘层和字线层；在所述上部堆叠中形成到所述个别桥接件的上部沟道开口以单独地形成包括个别下部沟道开口和个别上部沟道开口中的一个的互连沟道开口，所述互连沟道开口单独地具有跨越所述互连沟道开口的个别桥接件中的一个；穿透所述个别桥接件以露出个别下部空隙空间；以及竖向地沿着所述上部堆叠中的所述竖直交替的层在所述互连沟道开口的上部部分中形成晶体管沟道材料。