[发明专利]半导体存储器装置及制造半导体存储器装置的方法

说明书

本文中所描述的实施例涉及一种半导体存储器装置及一种制造半导体存储器装置的方法。根据实施例的半导体存储器装置包含第一和第二导电层及导柱。所述导柱穿过所述第一导电层和所述第二半导体层。所述导柱包含第一和第二半导体层、第三导电层及栅极绝缘膜。所述第一半导体层面向所述第一导电层。所述第二半导体层面向所述第二导电层。所述第三导电层设置于所述第二半导体层和所述第二导电层之间。所述栅极绝缘膜设置于所述第二半导体层和所述第三导电层之间。所述第三导电层电耦合到所述第二导电层。

相关申请的交叉引用

本申请基于2018年12月26日提交的第2018-243439号日本专利申请并要求其优先权，所述申请的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本文中所描述的实施例涉及一种半导体存储器装置及一种制造半导体存储器装置的方法。

背景技术

能够以非易失性方式存储数据的NAND型快闪存储器是众所周知的。

发明内容

大体来说，根据一个实施例，半导体存储器装置包含多个第一导电层、多个第二导电层和导柱。第一导电层设置在衬底上方。第一导电层在第一方向上彼此隔开地堆叠。第二导电层设置在第一导电层上方。第二导电层在第一方向上彼此隔开地堆叠。导柱穿过第一导电层和第二导电层。导柱包含第一半导体层、第二半导体层、第三导电层和栅极绝缘膜。第一半导体层在第一方向上延伸且面向第一导电层。第二半导体层在第一方向上延伸且面向第二导电层。第三导电层在第一方向上延伸且设置于第二半导体层和第二导电层之间。栅极绝缘膜设置于第二半导体层和第三导电层之间。导柱和第一导电层中的一个的相交部分充当存储器单元晶体管。导柱和第二导电层中的一个的相交部分充当选择晶体管。第三导电层电耦合到第二导电层。

根据实施例，可以增加半导体存储器装置的存储容量。

附图说明

图1是示出根据第一实施例的半导体存储器装置的配置实例的框图。

图2是示出包含在根据第一实施例的半导体存储器装置中的存储器单元阵列的电路配置的实例的电路图。

图3是示出包含在根据第一实施例的半导体存储器装置中的存储器单元阵列的平面布局的实例的平面图。

图4是示出沿着图3的线IV-IV截得的存储器单元阵列的横截面结构的实例的横截面图。

图5是示出沿着图4的线V-V截得的存储器导柱的横截面结构的实例的横截面图。

图6是示出沿着图4的线V-V截得的存储器导柱的横截面结构的实例的横截面图。

图7是示出根据第一实施例的半导体存储器装置的制造方法的实例的流程图。

图8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24和25是示出根据第一实施例的半导体存储器装置的制造步骤的实例的存储器单元阵列的横截面图。

图26是示出包含在根据第二实施例的半导体存储器装置中的存储器单元阵列的横截面结构的实例的横截面图。

图27是示出沿着图26的线XXVII-XXVII截得的存储器导柱的横截面结构的实例的横截面图。

图28是示出根据第二实施例的半导体存储器装置的制造方法的实例的流程图。

图29、30、31、32、33、34、35和36是示出根据第二实施例的半导体存储器装置的制造步骤的实例的存储器单元阵列的横截面图。

图37是示出包含在根据第二实施例的经修改实例的半导体存储器装置中的存储器单元阵列的横截面结构的实例的横截面图。