[发明专利]存储器元件及其制作方法

权利要求书

1.一种存储器元件，其特征在于，包括：

一导电条带堆叠结构，包括多个导电条带以及多个绝缘层，与该多个导电条带交错堆叠；该导电条带堆叠结构还具有至少一通道开口穿过该多个导电条带和该多个绝缘层；

一存储层，位于该至少一通道开口之中，并覆盖在该多个导电条带经由该至少一通道开口暴露于外的部分上；

一通道层，位于该至少一通道开口之中并覆盖在该存储层上；以及

一掺杂的半导体焊垫，由该至少一通道开口的一底部向上延伸超过该多个导电条带中的一底部导电条带的一上方表面，并与该通道层接触，且与该多个导电条带电性隔离；

其中，该通道层包括具有一第一掺杂浓度的一第一部分以及位于该第一部分上方具有一第二掺杂浓度的一第二部分。

2.根据权利要求1所述的存储器元件，其中该第二掺杂浓度小于该第一掺杂浓度。

3.根据权利要求1所述的存储器元件，其中该第一部分位于该掺杂的半导体焊垫的一顶部上方；该第一掺杂浓度大于该第二掺杂浓度，且该第一掺杂浓度具有由该掺杂的半导体焊垫的一顶部远离该至少一通道开口的该底部，向上逐渐减少的一梯度。

4.根据权利要求3所述的存储器元件，其中该第二掺杂浓度具有由该第一部分远离该至少一通道开口的该底部，向上逐渐减少的一梯度。

5.根据权利要求4所述的存储器元件，其中该掺杂的半导体焊垫的该顶部，位于该底部导电条带的该上方表面与该多个导电条带中的一次高底部导电条带的一下方表面之间，且该上方表面与该下方表面之间，没有该多个导电条带中的任一个。

6.根据权利要求5所述的存储器元件，其中该第二部分未延伸超过该下方表面。

7.根据权利要求1所述的存储器元件，其中该存储层包括一多层介电电荷俘获结构。

8.一种存储器元件的制作方法，其特征在于，包括：

形成具有至少一通道开口的一导电条带堆叠结构，其中该导电条带堆叠结构包括多个导电条带以及多个绝缘层，与该多个导电条带交错堆叠；该至少一通道开口穿过该多个导电条带和该多个绝缘层；

形成一半导体焊垫，由该至少一通道开口的一底部向上延伸超过该多个导电条带中的一底部导电条带的一上方表面，并与该多个导电条带电性隔离；

在该半导体焊垫之中注入一基底掺杂离子；

在该至少一通道开口之中形成一存储层，并覆盖在该多个导电条带经由该至少一通道开口暴露于外的部分上；

在该至少一通道开口之中形成一通道层，并覆盖在该存储层上，且与该半导体焊垫接触；以及

将一部分该基底掺杂离子驱入该通道层中，使该通道层包括具有一第一掺杂浓度的一第一部分，以及位于该第一部分上方，且具有一第二掺杂浓度的一第二部分。

9.根据权利要求8所述的存储器元件的制作方法，其中形成具有该至少一通道开口的该导电条带堆叠结构的步骤，包括：

形成多个牺牲材料层与该多个绝缘层交错排列；

形成该至少一通道开口穿过该多个牺牲材料层；

在该至少一通道开口的该底部上形成该半导体焊垫；

在该至少一通道开口之中形成该存储层，并覆盖在该多个牺牲条带经由该至少一通道开口暴露于外的部分上；

在该至少一通道开口之中形成该通道层，并覆盖在该存储层上，且与该半导体焊垫接触；

选择性地移除该多个牺牲层，以在该多个绝缘层之间形成多个空隙，将一部分该存储层和该半导体焊垫的一侧壁暴露于外；

在该多个空隙中形成至少一介电衬里，至少覆盖该半导体焊垫的该侧壁；以及

以一导电材料填充该多个空隙，借以在该多个绝缘层之间形成该多个导电条带。

10.根据权利要求8所述的存储器元件的制作方法，其中在形成该具有至少一通道开口的一导电条带堆叠结构之后，还包括：

在该至少一通道开口中形成该存储层，其中该存储层与该至少一通道开口的该底部接触；

移除一部分该存储层，以将该至少一通道开口的该底部暴露于外；

形成该半导体焊垫；以及

形成该通道层，以覆盖该存储层以及该半导体焊垫的一顶部。