[发明专利]存储器装置以及存储器的数据存取方法

说明书

一种存储器装置以及存储器的数据存取方法。数据存取方法包括：接收数据擦除命令以执行数据擦除动作；以及，在数据擦除动作中：依据数据擦除命令以设定存储器中的选中存储单元区块；提供对应该选中存储单元区块的标识存储单元，依据数据擦除命令擦除标识存储单元中的数据，并使选中存储单元区块中的多个选中存储单元中的数据维持不变。如此一来，可大幅降低数据擦除动作所需的时间，并节省所需消耗的电能，提升存储器的整体性能。

技术领域

本发明属于存储器技术领域，涉及一种存储器装置以及存储器的数据存取方法，且特别是有关于一种可提升速率的存储器装置以及存储器的数据存取方法。

背景技术

随着电子科技的进步，电子产品成为人们生活中的重要工具。而在电子装置中，其中的存储器装置的存取速率，可影响到电子装置的反应速率。以下请参照图1以及图2，图1绘示现有技术的存储单元的电路示意图，图2则绘示非易失性存储器的存取速率与温度的关系图。图1绘示的存储单元100为非易失性存储单元(例如电阻式存储单元、闪存存储单元或相变式存储单元)。存储单元100包括晶体管T1以及相变材料层(phase change materiallayer)PCL。晶体管T1以及相变材料层PCL依序串接在接地电压GND以及位线BL。晶体管T1的控制端耦接字线WL，并依据字线WL上的信号被导通。

在对存储单元100进行数据存取动作时，可通过对相变材料层PCL施加偏压，以针对存储单元100进行复位(reset)、设定(set)动作或读取(read)动作。其中，上述的复位、设定动作用以改变相变材料层PCL所提供的电阻值。在图2中，曲线RP表示针对存储单元100进行复位动作时，需要使相变材料层PCL的温度高于融化温度T_melt，并维持一第一时间区间，以使相变材料层PCL的晶体融化并完成复位动作。曲线SP表示针对存储单元100进行设定动作时，需要使相变材料层PCL的温度高于结晶温度T_crystal(低于融化温度T_melt)，并维持一第二时间区间，以使相变材料层PCL的晶体结晶，并完成设定动作。曲线READ表示针对存储单元100进行读取动作，存储单元100的温度与操作时间的关系。上述的第二时间区间大于第一时间区间。

无论如何，由图2可以得知，针对存储单元100进行复位动作以及设定动作，需要耗去固定的时间。也因此，当针对存储单元100执行写入动作时，常耗费相对高的时间，降低存储单元100的存取速率。

发明内容

本发明提供一种存储器装置以及存储器的数据存取方法，可有效提升存储单元的擦除速率。

本发明的存储器的数据存取方法包括：接收数据擦除命令以执行数据擦除动作；以及，在数据擦除动作中：依据数据擦除命令以设定存储器中的选中存储单元区块；以及，提供对应该选中存储单元区块的标识存储单元，依据数据擦除命令擦除标识存储单元中的数据，并使选中存储单元区块中的多个选中存储单元中的数据维持不变。

本发明的存储器装置包括多个存储单元区块、多个标识存储单元以及控制器。标识存储单元分别对应存储单元区块。控制器耦接存储单元区块以及标识存储单元，用以：接收数据擦除命令以执行数据擦除动作；以及，在数据擦除动作中，依据数据擦除命令以设定这些存储单元区块中的一选中存储单元区块；以及，依据该数据擦除命令擦除选中存储单元区块对应的标识存储单元中的数据，并使选中存储单元区块中的多个选中存储单元中的数据维持不变。

基于上述，本发明在针对选中存储单元区块的数据擦除动作被执行时，仅针对对应选中存储单元区块的标识存储单元进行擦除动作，并不针对选中存储单元区块中的选中存储单元执行实体的数据擦除动作。如此一来，可大幅降低数据擦除动作所需的时间，并节省所需消耗的电能，提升存储器的整体性能。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。

附图说明