[发明专利]ATE快速获取存储器失效地址的方法在审

专利信息
申请号: 201910788133.2 申请日: 2019-08-26
公开(公告)号: CN110504003A 公开(公告)日: 2019-11-26
发明(设计)人: 舒颖;代瑞娟;郑鹏飞 申请(专利权)人: 上海华力集成电路制造有限公司
主分类号: G11C29/56 分类号: G11C29/56
代理公司: 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 代理人: 戴广志<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 201315 上海市浦东新区中国(上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 地址引脚 失效周期 抓取 起始地址 失效地址 列地址 扫瞄 读取 存储器 快速获取 数值表示 引脚状态 硬件资源 状态转换 字符表示 矢量 行地址 进制 指向 测试 优化
【权利要求书】:

1.一种ATE快速获取存储器失效地址的方法,其特征在于,扫瞄整个失效位抓取RAM时,先从矢量RAM中读取第一个失效周期,获取该失效周期指向的地址引脚状态,构造以字符表示的地址引脚状态与以数值表示的引脚状态的对应关系,然后将第一个失效周期对应的地址引脚状态转换成16进制行地址和列地址,将该行地址和列地址作为扫瞄整个失效位抓取RAM的起始地址。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述构造以字符表示的地址引脚状态与以数值表示的引脚状态的对应关系,采用如下方法:设第n位的地址引脚为An,字符形式引脚状态为‘0’,二进制形式引脚状态为0;字符形式引脚状态为‘1’,二进制形式引脚状态为1,其中n为大于等于0的整数。

3.一种ATE快速获取存储器失效地址的方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤1、将失效信息按照其所在存储器地址,存储在失效位抓取RAM中的相同的地址;将失效信息按照失效周期存在矢量RAM当中;

步骤2、从矢量RAM中读取第一个失效周期;

步骤3、获取第一个失效周期对应的存储器地址引脚状态;

步骤4、构造以字符表示的地址引脚状态与以数值表示的引脚状态的对应关系;

步骤5、将第一个失效周期对应的地址引脚状态由字符型转换成数值型输出;

步骤6、将第一个失效周期对应的地址引脚数值型转化成十六进制,包括存储器行初始地址Xinitial,存储器列初始地址Yinitial;

步骤7、设置失效位抓取RAM读取的地址范围:X=X=Xinitial~Xmax,Y=Yinitial~Ymax;其中,Xmax表示行地址最大值,Ymax表示列地址最大值;

步骤8、读失效位抓取RAM地址X=X+1,Y=Y+1;

步骤9、如果不为0,记录当前地址为失效地址;

步骤10、如果X<Xmax Y<Ymax,则返回步骤7。

4.如权利要求3所述的方法,其特征在于:步骤4所述构造以字符表示的地址引脚状态与以数值表示的引脚状态的对应关系,采用如下方法:设第n位的地址引脚为An,字符形式引脚状态为‘0’,二进制形式引脚状态为0;字符形式引脚状态为‘1’,二进制形式引脚状态为1,其中n为大于等于0的整数。

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