[发明专利]一种用于电子封装的硅铝合金及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种用于电子封装的硅铝合金，其特征在于：按照质量百分比，其组成为：50～75％的Si，20～50％的Al，0～5％的石墨。

2.根据权利要求1所述的用于电子封装的硅铝合金，其特征在于：所述硅铝合金的性能参数可控，其热膨胀系数为6.1～8.7×10^-6K^-1，热导率为131～168W·(m·K)^-1，密度为2.42～2.45×10³kg·m^-3。

3.一种权利要求1或2所述的用于电子封装的硅铝合金的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

(1)按照硅铝合金的各组分配比，分别称取硅铝合金粉末、硅粉及石墨粉，并混合均匀；

(2)将步骤(1)混合得到的粉末在真空环境或惰性气体环境下密封进球磨罐内，在球磨机中球磨，使合金粉末合金化，得到合金粉末；

(3)将步骤(2)得到的合金粉末置于等离子热压烧结炉内，进行烧结固化，获得块体合金。

4.根据权利要求3所述的用于电子封装的硅铝合金的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中，球磨时的转速为200～400r/min，球磨时间为30～50h。

5.根据权利要求3所述的用于电子封装的硅铝合金的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中，烧结固化包括快速致密化、致密化减速、趋近终极密度三个阶段。

6.根据权利要求3或5所述的用于电子封装的硅铝合金的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中，烧结固化的步骤为：

a)快速致密化阶段：将合金粉末填入石墨模具，置入等离子热压烧结炉内，以50～150℃/min的速度加热至520～540℃，保温5～10min，烧结压力为20～40MPa；

b)致密化减速阶段：以50～150℃/min的速度加热至750～800℃，保温5～10min，烧结压力为20～40MPa；

c)趋近终极密度阶段：以50～150℃/min的速度降温至520～540℃，保温5～10min，烧结压力为20～40MPa；烧结完成后随炉冷却至室温，获得固化的块体合金。

7.权利要求1或2所述的硅铝合金在用于电子通讯、航空航天、及其它相关工业电子器件的封装材料中的应用。