[发明专利]半导体装置及其形成方法

说明书

一种半导体装置及其形成方法，该形成方法包括提供半导体基板、于半导体基板中形成第一N型注入区与第二N型注入区。第一N型注入区与第二N型注入区被半导体基板的一部分隔开。上述方法亦包括于半导体基板中形成第一P型注入区、对半导体基板进行热处理工艺以于半导体基板中形成P型阱与N型阱。N型阱具有第一部分、第二部分以及第三部分，第三部分位于第一部分与第二部分之间，第三部分的掺杂浓度低于第一部分的掺杂浓度与第二部分的掺杂浓度。

技术领域

本发明实施例关于一种半导体装置，且特别有关于一种横向扩散金属氧化物半导体(lateral diffused metal oxide semiconductor，LDMOS)场效应晶体管及其形成方法。

背景技术

半导体装置已广泛地使用于各种电子产品中，举例而言，诸如个人电脑、手机以及数码相机等。半导体装置的制造通常是藉由在半导体基板上形成绝缘层或介电层、导电层以及半导体层，接着使用光刻工艺图案化所形成的各种材料层，藉以在此半导体基板之上形成电路零件及组件。

现有的半导体装置及其形成方法大抵上可满足一般需求，然而随着装置的微型化，其并非在各方面皆令人满意。

发明内容

本发明实施例包括一种半导体装置的形成方法。上述方法包括提供半导体基板、于上述半导体基板中形成第一N型注入区与第二N型注入区。上述第一N型注入区与上述第二N型注入区被上述半导体基板的一部分隔开。上述方法亦包括于上述半导体基板中形成第一P型注入区。上述第一N型注入区位于上述第二N型注入区与上述第一P型注入区之间。上述方法亦包括对上述半导体基板进行热处理工艺以于上述半导体基板中形成P型阱与N型阱。上述N型阱具有第一部分、第二部分以及第三部分，上述第一部分位于上述第三部分与上述P型阱之间，上述第三部分位于上述第一部分与上述第二部分之间，上述第三部分的掺杂浓度低于上述第一部分的掺杂浓度与上述第二部分的掺杂浓度。上述方法亦包括形成栅极介电层于上述半导体基板上，以及形成栅极电极于上述栅极介电层上。上述栅极介电层覆盖上述P型阱与上述N型阱。

本发明实施例亦包括一种半导体装置。上述半导体装置包括半导体基板、位于上述半导体基板中的P型阱与N型阱。上述N型阱相邻于上述P型阱。上述N型阱具有第一部分、第二部分以及第三部分。上述第一部分位于上述第三部分与上述P型阱之间。上述第三部分位于上述第一部分与上述第二部分之间。上述第三部分的掺杂浓度低于上述第一部分的掺杂浓度与上述第二部分的掺杂浓度。上述半导体装置亦包括位于上述P型阱中的N型源极区、位于上述N型阱中的N型漏极区、位于上述半导体基板上的栅极介电层以及位于上述栅极介电层上的栅极电极。上述栅极介电层部分覆盖上述P型阱与上述N型阱。上述N型阱的第三部分与上述N型阱的第一部分之间具有第一界面，且上述第一界面与上述栅极电极的侧壁对齐。

附图说明

以下将配合所附图式详述本发明实施例。应注意的是，各种特征部件并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，元件的尺寸可能经放大或缩小，以清楚地表现出本发明实施例的技术特征。

图1A、图1B、图1C、图1D、图1E、图1F、图1G、图1H、图1I、图1J以及图1K为一系列的工艺剖面图，其绘示出本发明一些实施例的半导体装置的形成方法。

图1C’绘示出本发明一些实施例的N型阱的掺杂浓度曲线图。

图2绘示出本发明一些实施例的半导体装置的剖面图。

图3绘示出本发明一些实施例的半导体装置的剖面图。

图4绘示出本发明一些实施例的半导体装置的剖面图。

图5绘示出本发明一些实施例的半导体装置的剖面图。

附图标号：

10、20、30、40、50～半导体装置；

100～半导体基板；