[发明专利]高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 201910788603.5 | 申请日： | 2019-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN112436056A | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 许祐铭;王裕齐;陈彦兴;杨宗穆;王俞仁 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/267 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 | ||
1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，该高电子迁移率晶体管包含：
氮化铝镓层；
氮化镓层，设置于该氮化铝镓层下方；
氧化锌层，设置于该氮化镓层下方；
源极电极和漏极电极，设置于该氮化铝镓层之上；以及
栅极电极，设置于该源极电极与该漏极电极之间并且位于该氮化铝镓层上。
2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该氧化锌层直接接触该氮化镓层。
3.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该氧化锌层的厚度为该氮化镓层的厚度的5至10倍。
4.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该氮化镓层中含有伸张应力。
5.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该氮化铝镓层中含有伸张应力。
6.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，另包含基底、成核层、过渡层和超晶格层位于该氧化锌层下方，该基底、该成核层、该过渡层和该超晶格层是由下至上依序堆叠。
7.如权利要求6所述的高电子迁移率晶体管，其中该成核层、该过渡层和该超晶格层包含氮化铝或氮化铝镓。
8.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该氮化镓层的压电极化方向是朝向该氧化锌层。
9.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，该高电子迁移率晶体管包含：
氮化铝镓层；
氮化镓层，设置于该氮化铝镓层下方；
氧化镁层，设置于该氮化镓层下方；
源极电极和漏极电极，设置于该氮化铝镓层之上；以及
栅极电极，设置于该源极电极与该漏极电极之间并且位于该氮化铝镓层上。
10.如权利要求9所述的高电子迁移率晶体管，其中该氧化镁层直接接触该氮化镓层。
11.如权利要求9所述的高电子迁移率晶体管，其中该氧化镁层的厚度为该氮化镓层的厚度的5至10倍。
12.如权利要求9所述的高电子迁移率晶体管，其中该氮化镓层中含有伸张应力。
13.如权利要求9所述的高电子迁移率晶体管，其中该氮化铝镓层中含有伸张应力。
14.如权利要求9所述的高电子迁移率晶体管，另包含基底、成核层、过渡层和超晶格层位于该氧化镁层下方，该基底、该成核层、该过渡层和该超晶格层是由下至上依序堆叠。
15.如权利要求14所述的高电子迁移率晶体管，其中该成核层、该过渡层和该超晶格层包含氮化铝或氮化铝镓。
16.如权利要求9所述的高电子迁移率晶体管，其中该氮化镓层的压电极化方向是朝向该氧化镁层。
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