[发明专利]一种高增益、低噪声的混频器集成电路

权利要求书

1.一种高增益、低噪声的混频器集成电路，其特征是，包括：

输入跨导级，所述输入跨导级用于交流电压信号到交流电流信号的转化，产生电压到电流的跨导增益；

负载级，所述负载级用于将交流电流信号转换为交流电压信号，通过减小所述负载级工作直流电流，所述负载级能够采用较大的阻值，提高交流信号的增益；

开关级，所述开关级用于将所述输入跨导级产生的交流电流信号交替输送到所述负载级，实现射频到低频的转换；

负阻网络，所述负阻网络用于为所述输入跨导级与所述开关级的连接处提供负阻，减少寄生电阻对闪烁噪声的影响，同时所述负阻网络的电流注入所述输入跨导级，减少所述开关级与所述负载级工作直流电流，降低所述开关级中与直流有关的低频闪烁噪声；

调谐网络；所述调谐网络用于选择混频器的工作频段，调整所述频段下所述输入跨导级的输出阻抗，实现所述频段的低噪声性能；

其中，所述输入跨导级与所述负阻网络、调谐网络、开关级直接相连，所述开关级与所述负载级直接相连。

2.根据权利要求1所述高增益、低噪声的混频器集成电路，其特征在于，所述负载级包括第一电阻和第二电阻。

3.根据权利要求2所述高增益、低噪声的混频器集成电路，其特征在于，所述负阻网络包括第九MOS管、第十MOS管。

4.根据权利要求3所述高增益、低噪声的混频器集成电路，其特征在于，所述开关级包括第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管。

5.根据权利要求4所述高增益、低噪声的混频器集成电路，其特征在于，所述调谐网络包括第二电感、第三可调电容、第四可调电容、第七MOS管、第八MOS管。

6.根据权利要求5所述高增益、低噪声的混频器集成电路，其特征在于，所述输入跨导级包括第一MOS管、第二MOS管、第一电容、第二电容、第一感性元件。

7.根据权利要求6所述高增益、低噪声的混频器集成电路，其特征在于，所述第一MOS管的栅极作为所述混频器的射频同相输入端，与所述第一电容的第一端相连，所述第二MOS管的栅极作为所述混频器的射频反相输入端，与所述第二电容的第一端相连；

所述第一MOS管的源极与所述第二电容的第二端、所述第一感性元件的第一端相连，所述第二MOS管的源极与所述第一电容的第二端、所述第一感性元件的第二端相连；

所述第一感性元件的第三端接地；

所述第一MOS管的漏极与所述第七MOS管的漏极、所述第三可变电容的第一端、所述第二电感的第一端、所述第三MOS管的源极、所述第四MOS管的源极、所述第九MOS管的漏极、所述第十MOS管的栅极相连，所述第二MOS管的漏极与所述第八MOS管的漏极、所述第四可变电容的第一端、所述第二电感的第二端、所述第五MOS管的源极、所述第六MOS管的源极、所述第十MOS管的漏极、所述第九MOS管的栅极相连；

所述第七MOS管的源极与所述第八MOS管的源极相连；

所述第七MOS管的栅极与所述第八MOS管的栅极相连，作为所述混频器的电阻控制端；

所述第三可变电容的第二端与所述第四可变电容的第二端相连，作为所述混频器的电容控制端；

所述第三MOS管的栅极和所述第六MOS管的栅极相连，作为所述混频器的本振同相输入端，所述第四MOS管的栅极和所述第五MOS管的栅极相连，作为所述混频器的本振反相输入端；

所述第三MOS管的漏极、所述第五MOS管的漏极、所述第一电阻的第一端相连，作为所述混频器的同相输出端，所述第四MOS管的漏极、所述第六MOS管的漏极、所述第二电阻的第一端相连，作为所述混频器的反相输出端；

所述第九MOS管的源极、所述第十MOS管的源极、所述第一电阻的第二端、所述第二电阻的第二端相连，连接至电源电压。