[发明专利]交流退火制备FeSe多晶界超导薄膜的方法

权利要求书

1.一种FeSe多晶界超导薄膜的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：

将一未处理的SrTiO₃多晶界衬底置于一真空室中的加热元件表面，该真空室的压强低于10^-9mbar，其中，该未处理的SrTiO₃多晶界衬底包括多个共面拼接设置且晶向不同的SrTiO₃单晶衬底，相邻SrTiO₃单晶衬底之间具有沟槽，且每个SrTiO₃单晶衬底表面为非原子级平整；

将该未处理的SrTiO₃多晶界衬底加热至1050℃以上，对该未处理的SrTiO₃多晶界衬底退火10分钟以上；

将该真空室温度降到650℃～800℃，然后向该真空室通入含氧气氛，使真空室压强保持在1×10^-6mbar～1×10^-4mbar，对该退火后的SrTiO₃衬底进行补氧处理10分钟～30分钟；

在该补氧处理后的SrTiO₃多晶界衬底表面生长FeSe多晶界薄膜；以及

向该加热元件通交流电从而对该FeSe多晶界高温超导薄膜进行交流退火，且交流退火的时间大于等于3小时。

2.如权利要求1所述的FeSe多晶界超导薄膜的制备方法，其特征在于，对所述未处理的SrTiO₃多晶界衬底加热的方法为：通过第一电极和第二电极向该加热元件施加电压。

3.如权利要求2所述的FeSe多晶界超导薄膜的制备方法，其特征在于，对所述未处理的SrTiO₃多晶界衬底加热的方法为：通过第一电极和第二电极向该加热元件施加交流电。

4.如权利要求2所述的FeSe多晶界超导薄膜的制备方法，其特征在于，对所述未处理的SrTiO₃多晶界衬底加热的方法为：通过第一电极和第二电极向该加热元件施加直流电。

5.如权利要求1所述的FeSe多晶界超导薄膜的制备方法，其特征在于，对该未处理的SrTiO₃多晶界衬底在1050℃以上退火30分钟以上。

6.如权利要求1所述的FeSe多晶界超导薄膜的制备方法，其特征在于，将该未处理的SrTiO₃多晶界衬底加热至1050℃以上之前，先将该未处理的SrTiO₃多晶界衬底预加热至900℃～1000℃，并保持30分钟以上。

7.如权利要求1所述的FeSe多晶界超导薄膜的制备方法，其特征在于，所述含氧气氛为臭氧。

8.如权利要求1所述的FeSe多晶界超导薄膜的制备方法，其特征在于，向该加热元件通交流电从而对该FeSe多晶界高温超导薄膜进行交流退火的时间大于等于10小时。

9.如权利要求1所述的FeSe多晶界超导薄膜的制备方法，其特征在于，向该加热元件通交流电从而对该FeSe多晶界高温超导薄膜进行交流退火的温度为450℃～550℃。

10.如权利要求1所述的FeSe多晶界超导薄膜的制备方法，其特征在于，向该加热元件通交流电从而对该FeSe多晶界高温超导薄膜进行交流退火的交流电频率为10赫兹～100赫兹。