[发明专利]滚筒式三基色Micro-LED芯片转印方法

权利要求书

1.一种滚筒式三基色Micro-LED芯片转印方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：取施主基板，所述施主基板包括功能层以及设置在所述功能层上的红光或绿光或蓝光Micro-LED芯片阵列，其中，所述功能层在吸收预定波长范围的激光能量后发生分解；

S2：取滚筒，所述滚筒的外表面覆盖有由形状记忆聚合物形成的微结构层，所述微结构层的表面上具有多个凸起，对所述滚筒进行处理使得所述微结构层上的多个凸起为压平状态；

S3：用处理后的所述滚筒滚压所述施主基板，同时将激光从施主基板的下方辐照所述功能层从而分解所述功能层，所述滚筒在所述施主基板上滚动的过程中将被分解的功能层处的Micro-LED芯片从所述施主基板上拾取到所述滚筒上；

S4：取集成有驱动电路的受主基板，将黏附于所述滚筒上的Micro-LED芯片与所述受主基板表面的驱动电路精确对位后将所述滚筒滚压于所述受主基板上，同时使用激光辐照所述微结构层以使得所述微结构层恢复至初始形状，所述滚筒在滚压过程中将其上的Micro-LED芯片转印到所述受主基板上且保证所述Micro-LED芯片与所述驱动电路精确对位；

S5：重复步骤S1～S4，将红光、绿光、蓝光三种单色的Micro-LED芯片分批次从所述施主基板上转印至所述受主基板上，完成三基色Micro-LED芯片的集成。

2.如权利要求1所述的滚筒式三基色Micro-LED芯片转印方法，其特征在于，所述施主基板还包括临时衬底，所述功能层设置在所述临时衬底上，所述临时衬底由透光材料制成。

3.如权利要求2所述的滚筒式三基色Micro-LED芯片转印方法，其特征在于，所述临时衬底由蓝宝石、SiO₂、Si₃N₄、玻璃、透明树脂中的任意一种制成。

4.如权利要求1所述的滚筒式三基色Micro-LED芯片转印方法，其特征在于，在步骤S3的拾取过程中，采用激光从所述施主基板的下方选择性地辐照所述功能层以对所述功能层进行选择性地分解，所述滚筒实现选择性地拾取所述Micro-LED芯片。

5.如权利要求1所述的滚筒式三基色Micro-LED芯片转印方法，其特征在于，所述滚筒包括透明的空心筒身，所述微结构层覆盖在所述空心筒身外表面上，所述空心滚筒两端与驱动装置连接以驱动所述滚筒运动，且在步骤S4中，所述空心筒身内部还设置有激光分束器。

6.如权利要求1所述的滚筒式三基色Micro-LED芯片转印方法，其特征在于，所述微结构层包括多个网格单元，所述网格单元包括底面以及多个凸出于所述底面的棱状侧壁，所述棱状侧壁在所述底面上形成所述凸起。

7.如权利要求1所述的滚筒式三基色Micro-LED芯片转印方法，其特征在于，所述施主基板固定在所述第一加工平台上，所述第一加工平台上用于放置所述施主基板的区域为透明区域，所述第一加工平台在步骤S3的拾取过程固定不动且所述滚筒以纯滚动的形式滚压所述施主基板。

8.如权利要求7所述的滚筒式三基色Micro-LED芯片转印方法，其特征在于，在步骤S3中，通过调节所述第一加工平台的高度以实现对所述施主基板与所述滚筒之间作用力大小的调节。

9.如权利要求1所述的滚筒式三基色Micro-LED芯片转印方法，其特征在于，在步骤S4中，将所述受主基板固定在所述第二加工平台上，在所述滚筒滚压的过程中，所述第二加工平台保持匀速平动，所述滚筒以轴心为圆心匀速转动且其线速度与第二加工平台的平动速度保持一致，所述滚筒以纯滚动的形式滚压所述受主基板。

10.如权利要求1所述的滚筒式三基色Micro-LED芯片转印方法，其特征在于，所述受主基板为柔性材料或抗弯曲的刚性材料。