[发明专利]管式PECVD设备的压力控制装置有效
| 申请号： | 201910790348.8 | 申请日： | 2019-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN110408913B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 肖洁;吴德轶;朱辉;成秋云;张春成 | 申请（专利权）人： | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/52 | 分类号： | C23C16/52 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 周长清;戴玲 |
| 地址： | 410205 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | pecvd 设备 压力 控制 装置 | ||
1.一种管式PECVD设备的压力控制装置，其特征在于：包括多组反应室，每组反应室对应设有VAT阀(1)和主抽泵(2)，各组反应室共用一个预抽泵(3)，每组反应室包括第一反应室(4)和第二反应室(5)，每组反应室中的第一反应室(4)通过第一主管路(6)与主抽泵(2)连通，每组反应室中的第二反应室(5)通过第二主管路(7)与主抽泵(2)连通，且第一主管路(6)与第二主管路(7)并联形成汇流管路(8)，所述汇流管路(8)与主抽泵(2)连接，所述VAT阀(1)设于汇流管路(8)上用于控制第一反应室(4)和第二反应室(5)的压力，各组反应室中的第一反应室(4)均通过第一支管路(9)与预抽泵(3)连接，各组反应室中的第二反应室(5)均通过第二支管路(10)与预抽泵(3)连接，所述第一主管路(6)上设有第一薄膜规(11)，所述第二主管路(7)上设有第二薄膜规(12)，第一薄膜规11用来测量第一反应室4做工艺时的压力，第二薄膜规12用来测量第二反应室5做工艺时的压力，所述第一主管路(6)对应第一薄膜规(11)的位置设有第一压力阀(13)，所述第二主管路(7)对应第二薄膜规(12)的位置设有第二压力阀(14)，第一反应室4不做工艺制作预抽时用第一压力阀13来检测，第二反应室5不做工艺制作预抽时用第二压力阀14来检测。
2.根据权利要求1所述的管式PECVD设备的压力控制装置，其特征在于：所述第一支管路(9)设于第一主管路(6)上，且位于VAT阀(1)的上游，所述第一薄膜规(11)位于第一支管路(9)的上游。
3.根据权利要求1所述的管式PECVD设备的压力控制装置，其特征在于：所述第二支管路(10)设于第二主管路(7)上，且位于VAT阀(1)的上游，所述第二薄膜规(12)位于第二支管路(10)的上游。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的管式PECVD设备的压力控制装置，其特征在于：所述第一主管路(6)上于第一支管路(9)与汇流管路(8)之间设有第一主抽阀(15)，所述第二主管路(7)上于第二支管路(10)与汇流管路(8)之间设有第二主抽阀(16)。
5.根据权利要求1至3任意一项所述的管式PECVD设备的压力控制装置，其特征在于：所述第一支管路(9)上设有第一预抽阀(17)，所述第二支管路(10)上设有第二预抽阀(18)。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
