[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

说明书

一种半导体存储装置及其制造方法，所述半导体存储装置包括：第一存储芯片，所述第一存储芯片内形成有第一存储阵列；第二存储芯片，所述第二存储芯片内形成有第二存储阵列；所述第一存储芯片和所述第二存储芯片之间堆叠形成电连接，所述第一存储芯片内形成有第一电路、至少部分第二电路以及共用电路，所述第一电路用于控制所述第一存储阵列，所述第二电路用于控制所述的第二存储阵列，所述第一电路与所述第一存储阵列连接，所述第二电路与所述第二存储阵列连接，所述共用电路连接所述第一电路和第二电路。所述半导体存储装置的集成度和数据传输效率提高。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种半导体存储装置及其制造方法。

背景技术

由于易失性存储芯片(如DRAM)的读取速度更快，而非易失性存储芯片(如NANDflash)具备掉电不丢失数据的优点，因此，多数现代数据处理系统需要同时包含易失性存储芯片和非易失性存储芯片，以利用其各自的优点。由于易失性存储芯片和非易失性存储芯片的结构不同，通常采用不同工艺制程制造，各自形成独立的芯片。

当数据处理系统同时包含易失性存储芯片以及非易失性存储芯片时，两种存储芯片通常独立存在，相互之间通过传输线连接，以进行数据传输。这种情形下的缺点是易失性存储芯片和非易失性存储芯片之间传输路径长，并且芯片接口以及传输线存在带宽限制，数据交互速度受限，且整体尺寸偏大，较难适应需高度集成化的应用场合。

因此，如何提高易失性存储芯片以及非易失性存储芯片之间的数据传输速度，提高集成度，是目前亟待解决的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种半导体存储装置及其制造方法，以提高半导体存储装置的集成度及数据传输速度。

为了解决上述问题，本发明提供了一种半导体存储装置，包括：第一存储芯片，所述第一存储芯片内形成有第一存储阵列；第二存储芯片，所述第二存储芯片内形成有第二存储阵列；所述第一存储芯片和所述第二存储芯片之间堆叠形成电连接；所述第一存储芯片内还形成有第一电路、至少部分第二电路以及共用电路，所述第一电路用于控制所述第一存储阵列，所述第二电路用于控制所述的第二存储阵列，所述第一电路与所述第一存储阵列连接，所述第二电路与所述第二存储阵列连接，所述共用电路连接所述第一电路和第二电路。

可选的，包括：所述第一存储阵列为易失性存储阵列，所述第二存储阵列为非易失性存储阵列。

可选的，所述共用电路包括：控制逻辑单元、带隙基准单元、偏置单元、电源管理单元、分时复用单元或者校准单元中的一个或几个的组合。

可选的，所述存储阵列为二维或三维存储阵列。

可选的，所述第一存储芯片和所述第二存储芯片采用单晶硅或多晶硅衬底。

可选的，所述第一电路连接至所述半导体存储装置的I/O接口，所述第二存储阵列通过所述第二电路、共用电路以及第一电路与所述I/O接口连接，所述第一存储阵列通过所述第一电路与所述I/O接口连接。

可选的，所述第二电路和第一电路分别连接至所述半导体存储装置的I/O接口，所述第一存储阵列通过所述第一电路与所述I/O接口连接，所述第二存储阵列通过所述第二电路与所述I/O接口连接。

可选的，所述共用电路包括接口控制单元，所述第一电路和第二电路分别与所述接口控制单元连接，所述接口控制单元连接至所述半导体存储装置的I/O接口，所述第一存储阵列和所述第二存储阵列通过所述接口控制单元与所述I/O接口连接。