[发明专利]一种基于双极型半导体的光控人工突触及其制备方法

权利要求书

1.一种基于双极型半导体的光控人工突触，包括：半导体层；其特征在于，所述半导体层包括：光致变色化合物和双极型聚合物；其中，所述双极型聚合物的HOMO能级位于开环的光致变色化合物的HOMO能级和闭环的光致变色化合物的HOMO能级之间；所述基于双极型半导体的光控人工突触还包括：依次设置在所述半导体层下方的介电层、栅极以及衬底，设置在所述半导体层上方的源极和漏极。

2.根据权利要求1所述的基于双极型半导体的光控人工突触，其特征在于，所述双极型聚合物的HOMO能级与开环的光致变色化合物的HOMO能级的差值小于所述双极型聚合物的HOMO能级与闭环的光致变色化合物的HOMO能级的差值。

3.根据权利要求1所述的基于双极型半导体的光控人工突触，其特征在于，所述光致变色化合物和所述双极型聚合物的质量比为1:1-10。

4.根据权利要求1所述的基于双极型半导体的光控人工突触，其特征在于，所述光致变色化合物为螺吡喃、螺噁嗪、螺唔嗓、六苯基双咪哇、水杨醛缩苯胺类化合物、周蔡靛兰类染料、偶氮化合物、稠环芳香化合物、哗嗓类、俘精酸配类、二芳基乙烯类中的一种或多种。

5.根据权利要求4所述的基于双极型半导体的光控人工突触，其特征在于，所述二芳基乙烯类包括

所述双极型聚合物为PBIBDF-BT、CNTVT:SVS、PBCDC、PDPP-4FTVT、PDPPTPT中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的基于双极型半导体的光控人工突触，其特征在于，所述介电层为氧化铝介电层，所述氧化铝介电层上设置有十八烷基三氯硅烷化学吸附自组装单分子层。

7.根据权利要求1所述的基于双极型半导体的光控人工突触，其特征在于，所述栅极为银栅极，所述源极为金源极，所述漏极为金漏极，所述衬底为PET衬底。

8.一种如权利要求1-5任意一项所述基于双极型半导体的光控人工突触的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将光致变色化合物和双极型聚合物混合后沉积形成半导体层。

9.根据权利要求8所述的基于双极型半导体的光控人工突触的制备方法，其特征在于，所述将光致变色化合物和双极型聚合物混合后沉积形成半导体层，具体包括：

采用溶剂将光致变色化合物和双极型聚合物分别溶解后混合得到混合液；

将混合液旋涂在介电层上后退火处理得到半导体层。